[实用新型]一种IPD滤波器及其强化滤波架构有效
| 申请号： | 201821675084.9 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN208479581U | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 祁威;龙华 | 申请（专利权）人： | 深圳飞骧科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H7/01 | 分类号： | H03H7/01 |
| 代理公司： | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人： | 王月春;武玉琴 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区粤海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一端连接 陷波电路 滤波器 带阻电路 输出电感 输入电感 电容 滤波 本实用新型 架构 电源地 高阶谐波 滤波输出 谐波抑制 输入端 保证 | ||
1.一种IPD滤波器的强化滤波架构，包括输入电感、第一陷波电路、带阻电路、第二陷波电路、输出电感，其特征在于，还包括第一电容，其中：
所述输入电感的一端连接滤波输入端；所述第一陷波电路的一端连接所述输入电感的另一端和所述带阻电路的一端，另一端连接电源地；所述带阻电路的另一端连接所述第二陷波电路的一端和所述输出电感的一端；所述第二陷波电路的另一端连接所述电源地；所述输出电感的另一端连接滤波输出端；
所述第一电容的一端连接所述第一陷波电路，所述第一电容的另一端连接所述第二陷波电路。
2.根据权利要求1所述的架构，其中，所述滤波输入端的输入阻抗和所述滤波输出端的输出阻抗都是50欧姆。
3.根据权利要求2所述的架构，其中，所述第一陷波电路和所述第二陷波电路频率不同。
4.根据权利要求3所述的架构，其中，所述第一陷波电路包括串联的第二电容、第二电感。
5.根据权利要求4所述的架构，其中，所述带阻电路包括并列的第三电容、第三电感。
6.根据权利要求5所述的架构，其中，所述第二陷波电路包括串联的第四电容、第四电感。
7.根据权利要求6所述的架构，其中，所述第一电容的一端连接所述第二电容、第二电感的连接点，所述第一电容的另一端连接所述第四电容、第四电感的连接点。
8.根据权利要求7所述的架构，其中，所述第一电容与所述第二电感和第四电感产生谐振以抑制三阶和四阶的谐波。
9.根据权利要求8所述的架构，其中，所述架构抑制二次谐波的范围为H2＝22.6-25.1dBc，抑制二次谐波的范围为H3＝26.2-35.9dBc，抑制二次谐波的范围为H4＝29.1-35.1dBc；所述架构的带内插损在0.96-1.6db。
10.一种IPD滤波器，包括权利要求1至9任一项所述的一种IPD滤波器的强化滤波架构。
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