[实用新型]一种系统级封装模组结构的快速测试装置

说明书

本实用新型公开了一种系统级封装模组结构的快速测试装置，包括载板和测试板，测试板上表面设置TSV孔，TSV孔直径范围在1um到1000um，深度在10um到1000um，在测试板上表面设置第一绝缘层，第一绝缘层厚度范围在10nm到100um之间，第一绝缘层上方制作种子层，种子层厚度范围在1nm到100um，种子层结构采用一层或多层，种子层的金属材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种；TSV孔内设置铜柱；测试板上表面还设置RDL，RDL设置在第二绝缘层上，第二绝缘层设置在种子层上，第二绝缘层厚度范围在10nm到1000um，其材质采用氧化硅或者氮化硅；本实用新型提供单位面积内大密度集成模组的一种系统级封装模组结构的快速测试装置。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，更具体的说，它涉及一种系统级封装模组结构的快速测试装置。

背景技术

电子产品的迅猛发展是当今封装技术进化的主要驱动力，小型化、高密度、高频高速、高性能、高可靠性和低成本是先进封装的主流发展方向。系统级封装是最重要也是最有潜力满足这种高密度系统集成的技术之一。在各种系统级封装中，针对密闭射频芯片封装结构的硅转接板是硅基三维集成射频微系统的核心部件，为芯片到芯片和芯片到基板提供了最短的连接距离，最小的焊盘尺寸和中心间距。与其他互连技术如引线键合技术相比，硅转接板技术的优点包括：更好的电学性能、更高的带宽、更高的密度、更小的尺寸、更轻的重量。

但是对于系统级封装的模组结构来说，一些特殊的芯片往往需要跟另外几种不同材质不同功能的辅助芯片互联在一起才能得到测试结构。一般的做法是对单个产品分别进行测试，然后把不同的芯片焊接在一个PCB板上进行终端测试。然而对于垂直互联的模组来讲，不能保证互联的准确性，因此在互联完成后都要对模组进行测试以保证可以进入终端。对于晶圆级工艺键合在一起的模组来说，因为导电bump集成度太高，需要在单位面积内加探针的密度较大，可能会导致放不下探针。而对于chip to chip工艺制作的更高集成密度的模组来说，不仅会存在上述问题，而且单个的测量还会增大测试时间。

发明内容

本实用新型克服了现有技术的不足，提供单位面积内大密度集成模组的一种系统级封装模组结构的快速测试装置。

本实用新型的技术方案如下：

一种系统级封装模组结构的快速测试装置，包括载板和测试板，测试板上表面设置TSV孔，TSV孔直径范围在1um到1000um，深度在10um到1000um，在测试板上表面设置第一绝缘层，第一绝缘层厚度范围在10nm到100um之间，第一绝缘层上方制作种子层，种子层厚度范围在1nm到100um，种子层结构采用一层或多层，种子层的金属材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种；TSV孔内设置铜柱；测试板上表面还设置RDL，RDL设置在第二绝缘层上，第二绝缘层设置在种子层上，第二绝缘层厚度范围在10nm到1000um，其材质采用氧化硅或者氮化硅，其中RDL包括走线和键合功能的焊盘；焊盘高度范围在10nm到1000um，焊盘的金属采用铜、铝、镍、银、金、锡中的一种或多种，其本身结构采用一层或多层；

测试板的下表面设置第三绝缘层，并设置与铜柱对应的连接口，待测射频封装模组以一定距离固定在载板上，在测试板下表面设置各向异性导电胶，测试板下表面和载板键合。

进一步的，测试板采用4，6，8，12寸中的一种尺寸，厚度范围为200um 到2000um，材料采用硅片、玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂或聚氨酯。

进一步的，RDL金属采用铜、铝、镍、银、金、锡中的一种或多种，其本身结构采用一层或多层，其厚度范围为10nm到1000um。

本实用新型相比现有技术优点在于：本实用新型把模组贴在载板再分布，然后制作与之相对应的转接测试板，用晶圆级键合的方式把测试板和载板上的模组做临时键合，键合胶用各向异性导电胶，最后在测试板的背面扎针做测试，解决了模组单位面积内集成密度太大不能下针的问题。