[实用新型]集成电路静电防护的二极管触发可控硅有效
| 申请号： | 201821632602.9 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN208848907U | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 董树荣;徐泽坤;沈宏宇;郭维;胡涛 | 申请（专利权）人： | 浙江大学昆山创新中心 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/74 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215347 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 注入区 集成电路 本实用新型 二极管触发 静电防护 电学 可控硅 衬底 阴极 触发电压 导通电阻 依次连接 阳极 鲁棒性 | ||
1.集成电路静电防护的二极管触发可控硅，其特征在于：包括第一衬底，第一衬底上设置有依次连接的第一N阱、第一P阱和第二N阱，第一N阱上设置有第一P+注入区和第一N+注入区，第一P+注入区接入电学阳极，第一P阱上设置有第二P+注入区和第二N+注入区，第二P+注入区连接第一N+注入区，第二N阱上设置有第三N+注入区，第三N+注入区和第二N+注入区均接入电学阴极。
2.根据权利要求1所述的集成电路静电防护的二极管触发可控硅，其特征在于：第一衬底为P型衬底。
3.根据权利要求1所述的集成电路静电防护的二极管触发可控硅，其特征在于：第一P+注入区和第一N+注入区之间、第一N+注入区和第二P+注入区之间、第二P+注入区和第二N+注入区之间、第二N+注入区与第三N+注入区之间均设置有浅槽隔离，横向方向上，第一P+注入区靠外的一侧也设置有浅槽隔离。
4.根据权利要求1所述的集成电路静电防护的二极管触发可控硅，其特征在于：第二P+注入区与第一N+注入区金属连接。
5.集成电路静电防护的二极管触发可控硅，其特征在于：包括第二衬底，第二衬底上设置有依次连接的第二P阱、第三N阱和第三P阱，第二P阱上设置有第三P+注入区，第三N阱上设置有第四P+注入区和第四N+注入区，第四P+注入区和第三P+注入区均接入电学阳极，第三P阱上设置有第五P+注入区和第五N+注入区，第五P+注入区连接第四N+注入区，第五N+注入区接入电学阴极。
6.根据权利要求5所述的集成电路静电防护的二极管触发可控硅，其特征在于：第二衬底为P型衬底。
7.根据权利要求5所述的集成电路静电防护的二极管触发可控硅，其特征在于：第三P+注入区和第四P+注入区之间、第四P+注入区和第四N+注入区之间、第四N+注入区和第五P+注入区之间、第五P+注入区与第五N+注入区之间均设置有浅槽隔离，横向方向上，第五N+注入区靠外的一侧也设置有浅槽隔离。
8.根据权利要求5所述的集成电路静电防护的二极管触发可控硅，其特征在于：第五P+注入区与第四N+注入区金属连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学昆山创新中心，未经浙江大学昆山创新中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821632602.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
