[实用新型]一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置有效

专利信息
申请号: 201821629013.5 申请日: 2018-10-08
公开(公告)号: CN208977559U 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 王昌华 申请(专利权)人: 江苏英锐半导体有限公司
主分类号: B24B29/02 分类号: B24B29/02;B24B41/06;B24B47/22
代理公司: 常州市权航专利代理有限公司 32280 代理人: 袁兴隆
地址: 224000 江苏省盐城市盐城经*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 两组 晶圆片 氧化膜 镀膜 控制装置 内部设置 带动板 转动环 晶圆 操作台 本实用新型 表面平整度 顶部区域 附属装置 厚度距离 上限位环 同步齿轮 下限位环 调控板 工作腔 滑动块 螺纹杆 抛光轮 伸缩孔 升降杆 右夹板 支撑架 左滑杆 左夹板 滑杆 晃动 适配 旋钮 加工 电机 生产 贯穿
【说明书】:

实用新型涉及附属装置的技术领域,特别是涉及一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置,其可以降低加工之后的镀膜晶圆片氧化膜厚度距离要求值的偏差;并且可以增强加工之后的镀膜晶圆片的氧化膜的表面平整度;同时增强支座适配多种尺寸镀膜晶圆片的能力;包括操作台、支座、抛光轮、电机和镀膜晶圆片;还包括两组支撑架、两组升降杆、调控板、螺纹杆、上转动环、下转动环和调节旋钮,支座的顶端的左侧和右侧分别贯穿设置有两组伸缩孔;还包括带动板和滑动块,带动板的内部设置有晃动腔;还包括左滑杆、右滑杆、左夹板、右夹板、两组下限位环、两组上限位环和同步齿轮,支座的顶部区域内部设置有工作腔。

技术领域

本实用新型涉及附属装置的技术领域,特别是涉及一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置。

背景技术

众所周知,CVD法制备薄膜过程为:首先反应气体向基片表面扩散,然后反应气体吸附于基片表面,这时反应气体在基片表面发生化学反应,通过化学反应在基片表面产生的气相副产物脱离表面,向空间扩散或者被抽气系统抽走,最后基片表面留下不挥发的固相反应产物便是氧化膜,在这个CVD氧化膜的制备过程中,氧化膜的厚度是不可控股的,因此我们需要对晶圆基面上的氧化膜进行厚度处理,其中用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置是一种在晶圆片基面制作CVD氧化膜的过程中,用于控制CVD氧化膜厚度的装置,其在晶圆片制作的领域中得到了广泛的使用;现有的用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置包括操作台、支座、抛光轮、电机和镀膜晶圆片,所述支座的底端与操作台的顶端的中部区域连接,所述镀膜晶圆片卡装在支座的顶端,所述抛光轮的固定端与电机的输出端固定卡装;现有的用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置使用时,首先在市场上买来电机和抛光轮,然后将所述抛光轮按照电机购买时所带的安装说明书安装在电机的输出端,然后将镀膜晶圆片卡装在支座上,之后将电机按照购买时所带的使用说明书接入电源,并且打开电机使电机的输出端带动抛光轮转动,操作人员用抛光轮调整镀膜晶圆片厚度即可;现有的用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置使用中发现,首先通过操作人员拿着电机带动抛光轮对镀膜晶圆片进行打磨,使加工之后的晶圆片氧化膜厚度距离要求值的偏差较大,从而导致使用局限性较高;并且通过操作人员手持电机带动抛光轮对镀膜晶圆片抛光,使加工之后的镀膜晶圆片的氧化膜的表面平整度较差,从而导致实用性较差;再有支座对镀膜晶圆片的尺寸要求较高,其适配多种尺寸镀膜晶圆片的能力较弱,从而导致灵活性较差。

实用新型内容

为解决上述技术问题,本实用新型提供一种可以降低加工之后的镀膜晶圆片氧化膜厚度距离要求值的偏差,从而降低使用局限性;并且可以增强加工之后的镀膜晶圆片的氧化膜的表面平整度,从而增强实用性;同时增强支座适配多种尺寸镀膜晶圆片的能力,从而增强灵活性的晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置。

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