[实用新型]晶圆处理装置和多腔室晶圆处理设备有效
| 申请号: | 201821625985.7 | 申请日: | 2018-10-08 |
| 公开(公告)号: | CN208753276U | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
| 发明(设计)人: | 王大为;吴龙江;林宗贤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;董琳 |
| 地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 加热器 晶圆处理装置 机械手 处理腔室 传送口 晶圆 晶圆处理设备 挡板 存储室 多腔室 喷淋头 预加热 存储 抓取 室内 本实用新型 挥发性气体 闭合 处理装置 挡板移动 相对设置 相邻设置 处理腔 运动端 门阀 喷淋 吸附 种晶 连通 | ||
本实用新型涉及一种晶圆处理装置和多腔室晶圆处理设备,所述晶圆处理装置包括:处理腔室,所述处理腔室内相对设置有喷淋头和加热器,所述加热器用于放置晶圆;存储室,与所述处理腔室相邻设置,用于存储一挡板,所述存储室与处理腔室之间通过一传送口连通,所述传送口处设置有一门阀,用于控制所述传送口的开启与闭合;机械手,设置于所述存储室内,所述机械手的运动端用于抓取所述挡板,当所述加热器对晶圆进行预加热处理时,所述机械手用于将挡板移动至所述喷淋头和所述加热器之间。所述晶圆处理装置能够避免对晶圆进行预加热时产生的挥发性气体吸附于喷淋头上。
技术领域
本实用新型涉及半导体设备领域,尤其涉及一种晶圆处理装置和多腔室晶圆处理设备。
背景技术
在半导体芯片制造业中,预加热(Preheating)是设备中的常见功能。其原理是在晶圆工艺之前,用加热方式使晶圆表面残余物质变为气体后再被泵抽走的过程。晶圆表面残余物质的成分通常是晶圆在前道工艺结束后的残余物。但实际情况是,腔体中加热器对晶圆进行预加热,大部分残余气体会被抽走,但仍有少部分残余气体会附着在喷淋头上。附着在喷淋头上的残余气体可能会凝结成固体杂质,也可能与后续工艺中喷淋头喷出的工艺气体发生化学反应生成固体杂质。这样会造成喷淋头孔洞堵塞、固体杂质掉落到加热器或晶圆表面,导致腔体的维护周期变短。
如何避免预加热过程的残余气体附着于喷淋头上,是目前亟待解决的问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种晶圆处理装置和多腔室晶圆处理设备,避免预加热过程中残余气体附着于喷淋头上。
为了解决上述问题,本实用新型提供了一种晶圆处理装置,包括:处理腔室,所述处理腔室内相对设置有喷淋头和加热器,所述加热器用于放置晶圆;存储室,与所述处理腔室相邻设置,用于存储一挡板,所述存储室与处理腔室之间通过一传送口连通,所述传送口处设置有一门阀,用于控制所述传送口的开启与闭合;机械手,设置于所述存储室内,所述机械手的运动端用于抓取所述挡板,当所述加热器对晶圆进行预加热处理时,所述机械手用于将挡板移动至所述喷淋头和所述加热器之间。
可选的,所述机械手包括底座和可伸缩机械臂,所述可伸缩机械臂一端连接至所述底座,另一端用于抓取所述挡板,所述可伸缩机械臂用于通过伸缩运动将挡板在存储室与处理腔室之间移动。
可选的,所述机械手包括底座和机械臂,所述机械臂一端通过一转轴与所述底座连接,另一端用于抓取所述挡板,所述机械臂用于通过绕所述转轴旋转将挡板在存储室与处理腔室之间移动。
可选的,所述挡板具有至少一粗糙表面,当所述机械手将挡板移动至所述喷淋头与所述加热器之间时,所述粗糙表面朝向所述加热器。
可选的,所述粗糙表面包括锥形凸起层、磨砂表面以及喷砂处理后表面中的至少一种。
可选的,所述传送口边缘设置有喷气单元,所述喷气单元用于连接至惰性气体源,在所述门阀开启时,在传送口处喷气,形成位于存储室与处理腔室之间的气帘。
可选的,所述挡板内设置有真空管路,所述真空管路一端连通至所述挡板表面,另一端连通至抽气单元。
可选的,所述喷淋头和所述挡板均为圆形,所述挡板的直径大于所述喷淋头的直径。
可选的,所述挡板位于所述喷淋头与所述加热器之间时,所述挡板与所述喷淋头之间的距离小于所述挡板与所述加热器之间的距离。
本实用新型的技术方案还提供一种多腔室晶圆处理设备,包括至少两个上述晶圆处理装置。
本实用新型的晶圆处理装置包括一存储挡板的存储室,能够在处理腔室对晶圆进行预加热的过程中,将挡板设置与处理腔室的加热器与喷淋头之间,避免预加热过程中晶圆表面挥发的气体附着于喷淋头上。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





