[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括衬底及形成于所述衬底中的沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构界定出多个有源区于所述衬底中；

其中，所述沟槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，所述第一隔离部从所述衬底的顶面往所述衬底的内部延伸至第一深度位置，所述第二隔离部从所述第一隔离部的下方延伸至第二深度位置并与所述第一隔离部连接，并且所述第二隔离部在垂直于高度方向上的横向宽度尺寸大于所述第一隔离部在垂直于高度方向上的横向宽度尺寸，以使所述第二隔离部相对于所述第一隔离部以朝向所述有源区的方向横向凸出；

所述有源区包括源区及漏区，且所述源区从所述衬底的顶面延伸至第一深度位置及第二深度位置之间，以使所述源区更下沉于所述漏区。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源区与所述漏区之间的衬底中形成有栅极结构，所述栅极结构从所述衬底的顶面往所述衬底的内部延伸至第三深度位置，所述第二隔离部位于所述衬底的第一深度位置和第二深度位置之间，所述第三深度位置高于所述第二深度位置并低于所述第一深度位置，以使所述第二隔离部和所述栅极结构之间的间隔尺寸小于所述第一隔离部和所述栅极结构之间的间隔尺寸。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述源区和所述漏区分别从所述衬底的顶面往所述衬底的内部延伸第四深度位置及第五深度位置，所述第四深度位置低于所述第一深度位置并高于所述第三深度位置，以使所述栅极结构更下沉于所述源区，所述第五深度位置高于所述第一深度位置，以使所述源区更下沉于所述漏区。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽隔离结构的所述第二隔离部呈弧形。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽隔离结构包括填充于一隔离沟槽中的隔离材料层，所述隔离材料层包括氧化硅、游离氧化硅或硅碳氧化物中的一种或多种。

6.如权利要求1-5中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件应用于集成电路存储器，所述有源区用于构成所述集成电路存储器中的晶体管。