[实用新型]沟槽隔离结构及半导体器件

说明书

本实用新型提供了一种沟槽隔离结构及半导体器件，首先形成沟槽隔离结构于所述衬底中，通过所述沟槽隔离结构界定出有源区，由于所述沟槽隔离结构具有相连接的第一隔离部及位于所述第一隔离部下方的第二隔离部，并且所述第二隔离部在垂直于高度方向上的横向宽度尺寸大于所述第一隔离部在垂直于高度方向上的横向宽度尺寸，以使所述第二隔离部相对于所述第一隔离部横向凸出，从而减小了泄漏区域的面积，从而增加了泄漏通路上的等效电阻，从而减小了漏电流，提高了半导体器件的存储性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种沟槽隔离结构及半导体器件。

背景技术

目前，现有的集成电路存储器通常可以包括若干个晶体管，为了缩小集成电路存储器的面积以达到最大的集成化，通常采用沟槽型的晶体管结构，而沟槽型的晶体管结构在使用时，沟槽隔离结构与存储晶体管的栅极结构之间构成泄漏区域，存储晶体管的源漏区之间的电子可能会迁移至所述泄漏区域内，从而产生漏电流，导致集成电路存储器的存储性能下降，并且泄漏区域的面积越大，泄漏通路上的等效电阻越小，从而产生的漏电流就会越大，集成电路存储器的存储能力越差，如何减小漏电流成为亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种沟槽隔离结构及半导体器件，以提高现有的半导体器件的存储性能。

为了达到上述目的，本实用新型提供了一种沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构形成于一衬底中，其中，所述沟槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，所述第一隔离部从所述衬底的表面往所述衬底的内部延伸，所述第二隔离部位于所述第一隔离部的下方并与所述第一隔离部连接，并且所述第二隔离部在垂直于高度方向上的横向宽度尺寸大于所述第一隔离部在垂直于高度方向上的横向宽度尺寸，以使所述第二隔离部相对于所述第一隔离部横向凸出。

可选的，所述沟槽隔离结构的所述第二隔离部呈弧形。

可选的，所述沟槽隔离结构包括填充于一隔离沟槽中的隔离材料层，所述隔离材料层包括氧化硅、游离氧化硅或硅碳氧化物中的一种或多种。

本实用新型还提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括衬底及形成于所述衬底中的沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构界定出多个有源区于所述衬底中；

其中，所述沟槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，所述第一隔离部从所述衬底的表面往所述衬底的内部延伸，所述第二隔离部位于所述第一隔离部的下方并与所述第一隔离部连接，并且所述第二隔离部在垂直于高度方向上的横向宽度尺寸大于所述第一隔离部在垂直于高度方向上的横向宽度尺寸，以使所述第二隔离部相对于所述第一隔离部以朝向所述有源区的方向横向凸出。

可选的，所述半导体器件包括集成电路存储器，所述有源区用于构成所述集成电路存储器中的晶体管。

可选的，所述有源区的衬底中掩埋有栅极结构，所述栅极结构的底部延伸至所述衬底的第一深度位置，所述沟槽隔离结构的所述第二隔离部位于所述衬底的第二深度位置和第三深度位置之间，所述第一深度位置高于所述第二深度位置并低于所述第三深度位置，并使所述第二隔离部和所述栅极结构之间的间隔尺寸小于所述第一隔离部和所述栅极结构之间的间隔尺寸。

在本实用新型提供的沟槽隔离结构及半导体器件中，首先形成沟槽隔离结构于所述衬底中，通过所述沟槽隔离结构界定出有源区，由于所述沟槽隔离结构具有相连接的第一隔离部及位于所述第一隔离部下方的第二隔离部，并且所述第二隔离部在垂直于高度方向上的横向宽度尺寸大于所述第一隔离部在垂直于高度方向上的横向宽度尺寸，以使所述第二隔离部相对于所述第一隔离部横向凸出，从而减小了泄漏区域的面积，从而增加了泄漏通路上的等效电阻，从而减小了漏电流，提高了半导体器件的存储性能。

附图说明

图1为一种半导体器件；

图2为本实用新型实施例提供的沟槽隔离结构的形成方法的流程图；