[实用新型]一种高纯正硅酸乙酯的生产系统

说明书

本实用新型提供了一种高纯正硅酸乙酯的生产系统，包括：第一精馏塔；与所述第一精馏塔相连通的第二精馏塔；与所述第二精馏塔相连通的吸附塔；所述吸附塔内设置有金属离子吸附剂；与所述吸附塔相连通的第三精馏塔；与所述第三精馏塔相连通的第四精馏塔。与现有技术相比，本实用新型通过第一次精馏与第二次精馏进行初步的金属离子脱除，然后经吸附处理进一步脱除金属离子，最后通过第三次精馏与第四次精馏深度脱除残留的痕量金属离子，最终得到高纯正硅酸乙酯，生产方法易于操作，自动化程度高，可进行连续生产，工作效率高且得到的产品质量也较高。

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种高纯正硅酸乙酯的生产系统。

背景技术

半导体工艺形成氧化层的方法主要有热氧化(针对能形成自身稳定氧化层的半导体材料)、低压化学气相淀积(LPCVD)、等离子增强化学气相淀积(PECVD)和常压化学气相淀积(APCVD)等，其中由于APCVD要求的气流量大，且工艺产生颗粒相对较多，目前大多数半导体工艺已很少使用。

正硅酸乙酯(TEOS)用于LPCVD时，TEOS从液态蒸发成气态，在 700～750℃、300mTOR压力下分解在硅片表面淀积生成二氧化硅薄膜，二氧化硅薄膜沉积的速率可以达到50à/min，薄膜的厚度均匀性小于3％，这些优良的工艺特性和其在使用安全性方面的显著特点已逐步成为沉积二氧化硅薄膜的主流工艺。

应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积，可在一定程度上弥补SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用，既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力，又提高了器件的电性能和成品率，同时避免了为获得一定厚度氧化层长时间高温氧化的不足。采用此技术后，SiC芯片的直流成品率得到提高，微波功率器件的对比流片结果显示微波性能也得到了明显的提升,功率增益比原工艺提高了1.5dB左右，功率附加效率提升了近10％。

但现有高纯正硅酸乙酯是通过亚沸蒸馏的方式制备的，这会导致能耗过大，从而使得产品的生产成本增加，并且不能连续生产。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型要解决的技术问题在于提供一种可连续生产高纯正硅酸乙酯的生产系统。

本实用新型提供了一种高纯正硅酸乙酯的生产系统，包括：

第一精馏塔；所述第一精馏塔的塔顶与第一冷凝器相连通；所述第一精馏塔的塔底与第一再沸器相连通；

与所述第一精馏塔相连通的第二精馏塔；所述第二精馏塔的塔顶与第二冷凝器相连通；所述第二精馏塔的塔底与第二再沸器相连通；

与所述第二精馏塔相连通的吸附塔；所述吸附塔内设置有金属离子吸附剂；

与所述吸附塔相连通的第三精馏塔；所述第三精馏塔的塔顶与第三冷凝器相连通；所述第三精馏塔的塔底与第三再沸器相连通；

与所述第三精馏塔相连通的第四精馏塔；所述第四精馏塔的塔顶与第四冷凝器相连通；所述第四精馏塔的塔底与第四再沸器相连通。

优选的，所述吸附塔包括气相吸附塔与液相吸附塔；所述气相吸附塔与第二精馏塔相连通；所述气相吸附塔经第五冷凝器与所述液相吸附塔相连通；所述液相吸附塔与所述第三精馏塔相连通。

优选的，还包括加热器；所述第二精馏塔通过加热器与所述气相吸附塔相连通。

优选的，所述气相吸附塔包括相连通的第一气相吸附塔与第二气相吸附塔；所述第一气相吸附塔与第二精馏塔相连通；所述第二气相吸附塔经第五冷凝器与所述液相吸附塔相连通。

优选的，还包括液相吸附冷却器；所述第五冷凝器经液相吸附冷却器与所述液相吸附塔相连通。