[实用新型]高散热型太阳能光伏背板及其制作设备有效
申请号: | 201821595511.2 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN208655667U | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 焦华;田苍龙 | 申请(专利权)人: | 浙江中聚材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;H01L31/052;H01L31/054;H01L31/18 |
代理公司: | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 燕宏伟 |
地址: | 314031 浙江省嘉兴市秀*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能光伏背板 高散热型 背板 芯层 白色反射层 制作设备 散热层 耐光老化性能 水汽阻隔性能 本实用新型 发电效率 散热功能 制作工艺 耐水解 | ||
一种高散热型太阳能光伏背板,包括背板芯层、位于背板芯层一侧的内侧白色反射层及位于背板芯层另一侧的外侧黑色散热层,所述内侧白色反射层的厚度为10‑100微米,所述外侧黑色散热层的厚度为10‑100微米。如此具有优异散热功能、优异的耐水解、耐光老化性能、水汽阻隔性能,且制作工艺简单、发电效率高。本实用新型还提供一种高散热型太阳能光伏背板的制作设备。
技术领域
本实用新型涉及光伏技术领域,特别是一种高散热型太阳能光伏背板及其制作设备。
背景技术
太阳能光伏组件的发电功率对温度比较敏感,温度每上升1摄氏度,其发电功率衰减0.4%,因此背板的散热对光伏组件的性能有重要影响。
现有光伏组件的背板都是采用PVF(聚氟乙烯薄膜)-PET(聚脂薄膜)-PVF三层薄膜构成的背膜,简称TPT,其中外侧(空气侧)保护层PVF具有良好的抗环境侵蚀能力,中间层PET具有良好的绝缘性能,内侧PVF经表面处理和EVA具有良好的粘接性能。
但是这种采用TPT结构的太阳能背板,其PET材料不耐水解及不耐光老化,散热性较差。背板内侧的光反射率为75~80%,背板空气侧的散热性能弱,背板导热系数小于0.5W/m2C。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种具有优异散热功能、优异的耐水解、耐光老化性能、水汽阻隔性能,且制作工艺简单、发电效率高的高散热型太阳能光伏背板及背板芯层制作设备,以解决上述问题。
一种高散热型太阳能光伏背板,包括背板芯层、位于背板芯层一侧的内侧白色反射层及位于背板芯层另一侧的外侧黑色散热层,所述内侧白色反射层的厚度为10-100微米,所述外侧黑色散热层的厚度为10-100微米。
一种高散热型太阳能光伏背板的制作设备,包括挤出机、压力辊、冷却辊、若干传动辊、收卷单元及成型料道,所述挤出机具有上部供料腔、位于上部供料腔下方的中部供料腔及位于中部供料腔下方的下部供料腔,以及设置于挤出机的一端且与上部供料腔、中部供料腔及下部供料腔均连通的成型模头,所述成型料道水平设置于成型模头的下方,所述压力辊与冷却辊相对设置,且压力辊与冷却辊之间具有间隙,若干传动辊设置于冷却辊与收卷单元之间,所述冷却辊内部具有冷却装置。
与现有技术相比,本实用新型的高散热型太阳能光伏背板包括背板芯层、位于背板芯层一侧的内侧白色反射层及位于背板芯层另一侧的外侧黑色散热层,所述内侧白色反射层的厚度为10-100微米,所述外侧黑色散热层的厚度为10-100微米。如此具有优异散热功能、优异的耐水解、耐光老化性能、水汽阻隔性能,且制作工艺简单、发电效率高。本实用新型还提供一种高散热型太阳能光伏背板的制作设备。
附图说明
以下结合附图描述本实用新型的实施例,其中:
图1为本实用新型提供的高散热型太阳能光伏背板的侧面剖视图。
图2为本实用新型提供的高散热型太阳能光伏背板的制作设备的示意图。
具体实施方式
以下基于附图对本实用新型的具体实施例进行进一步详细说明。应当理解的是,此处对本实用新型实施例的说明并不用于限定本实用新型的保护范围。
请参考图1,其为本实用新型提供的高散热型太阳能光伏背板的示意图,本实用新型提供的高散热型太阳能光伏背板包括背板芯层110、内侧白色反射层120及外侧黑色散热层130,内侧白色反射层120采用白色高反射率改性材料,如高反射聚烯烃改性材料、高反射聚氟乙烯材料、高反射聚偏氟乙烯材料等;外侧黑色散热层130采用与内侧白色反射层120具有很好的相容性、高散热型的黑色纳米填充改性材料,如黑色纳米填充尼龙改性材料、黑色纳米填充改性聚烯烃材料、黑色纳米填充改性聚氟乙烯材料、黑色纳米填充改性聚偏氟乙烯材料或其他黑色纳米填充改性材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的