[实用新型]一种半导体存储装置有效
| 申请号： | 201821590455.3 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN208722183U | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 柯武生 | 申请（专利权）人： | 广西桂芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16;G06F11/14;G11C7/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 530007 广西壮族自治区南宁市*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储单元 缓存单元 半导体存储装置 数据备份单元 缓存 数据存储效率 存储器功能 存储器核心 分析处理 缓冲模块 数据传输 数据总线 单元化 存储 采集 保存 申请 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于：包括控制单元、缓存单元、存储单元和数据备份单元；控制单元分别与缓存单元和存储单元连接，缓存单元通过数据总线与数据备份单元连接；存储单元包括若干FLASH闪存芯片和FPGA模块，FPGA模块通过I/O引脚分别与若干FLASH闪存芯片进行连接。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述缓存单元采用型号为IDT72V80的FIFO处理芯片。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述控制单元采用型号为EPM7064和EPM7512的两块CPCI芯片。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述FLASH闪存芯片采用NAND型闪存芯片。
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