[实用新型]一种用于制作垂直结构LED芯片的复合衬底有效
| 申请号： | 201821589204.3 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN208781881U | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 杨振大;郑洪仿;徐亮 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光剥离 垂直结构LED芯片 蓝宝石 缓冲层 衬底 激光吸收层 脱附层 应力缓冲层 良率 制作 复合 本实用新型 物理性损伤 表面冲击 叠加作用 工艺窗口 缓冲 量产 生长 生产 | ||
1.一种用于制作垂直结构LED芯片的复合衬底，其特征在于，用于制作垂直结构LED芯片，包括蓝宝石衬底、设于蓝宝石衬底上的激光剥离缓冲层和设于激光剥离缓冲层上的生长缓冲层，所述激光剥离缓冲层包括设置在蓝宝石上的脱附层、设置在脱附层上的激光吸收层以及设置在激光吸收层上的应力缓冲层，所述脱附层由低熔点物质制成，所述激光吸收层由氮化镓材料制成，所述应力缓冲层由氮化铝材料制成。
2.如权利要求1所述的用于制作垂直结构LED芯片的复合衬底，其特征在于，所述低熔点物质为Al、AlN、Mg或GaN。
3.如权利要求2所述的用于制作垂直结构LED芯片的复合衬底，其特征在于，所述激光吸收层由GaN或AlN制成。
4.如权利要求3所述的用于制作垂直结构LED芯片的复合衬底，其特征在于，所述应力缓冲层由AlGaN或AlN制成。
5.如权利要求4所述的用于制作垂直结构LED芯片的复合衬底，其特征在于，所述生长缓冲层由GaN或AlGaN或AlN或InGaN制成。
6.如权利要求1所述的用于制作垂直结构LED芯片的复合衬底，其特征在于，所述脱附层的厚度为1-100nm。
7.如权利要求6所述的用于制作垂直结构LED芯片的复合衬底，其特征在于，所述激光吸收层的厚度为1-200nm。
8.如权利要求7所述的用于制作垂直结构LED芯片的复合衬底，其特征在于，所述应力缓冲层的厚度为1-200nm。
9.如权利要求1所述的用于制作垂直结构LED芯片的复合衬底，其特征在于，所述生长缓冲层的厚度为10-100nm。
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