[实用新型]一种高压LED芯片有效
| 申请号： | 201821589203.9 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN208781882U | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;王兵 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 第三电极 发光结构 切割道 高压LED芯片 本实用新型 第二电极 第一电极 衬底 源层 出光效率 导电连接 裸露区域 悬空设置 贯穿 刻蚀 发光 悬空 芯片 延伸 吸收 | ||
1.一种高压LED芯片，其特征在于，包括衬底，至少两个设于衬底上的发光结构，位于相邻发光结构之间的切割道，所述发光结构包括第一半导体层、有源层、第二半导体层、以及贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层的裸露区域，设于第一半导体层上的第一电极、设于第二半导体层上的第二电极，其中，相邻发光结构上的第一电极和第二电极导电连接形成第三电极，所述第三电极悬空位于切割道的上方，所述第三电极依次包括第一Cr层、Al层、第二Cr层、第一Ti层、第一Pt层、第一Au层、第三Cr层、第二Ti层、第二Pt层和第二Au层。
2.如权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，所述切割道贯穿所述发光结构并延伸至所述衬底的表面。
3.如权利要求2所述的高压LED芯片，其特征在于，所述切割道的侧壁具有倾斜角度。
4.如权利要求3所述的高压LED芯片，其特征在于，所述切割道的侧壁上设有绝缘层。
5.如权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，所述切割道的宽度小于10微米。
6.如权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，所述第一Cr层的厚度为10-50埃，Al层的厚度为1000-2000埃，第二Cr层的厚度为100-600埃，第一Ti层的厚度为100-800埃，第一Pt层的厚度为100-800埃，第一Au层的厚度为1000-6000埃，第三Cr层的厚度为100-500埃，第二Ti层的厚度为100-800埃，第二Pt层的厚度为100-800埃，第二Au层的厚度为3000-8000埃。
7.如权利要求6所述的高压LED芯片，其特征在于，所述第一Cr层的厚度为15-35埃，Al层的厚度为1300-1800埃，第二Cr层的厚度为200-400埃，第一Ti层的厚度为300-600埃，第一Pt层的厚度为300-600埃，第一Au层的厚度为2000-5000埃，第三Cr层的厚度为200-400埃，第二Ti层的厚度为300-600埃，第二Pt层的厚度为300-600埃，第二Au层的厚度为5000-7000埃。
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