[实用新型]一种垂直结构LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，包括第二键合缓冲层、依次设于第二键合缓冲层上的第二键合金属层、设于第二键合金属层上的第一键合金属层、设于第一键合金属层上的第一键合缓冲层、设于第一键合金属层上的金属反射层、设于金属反射层上的第二半导体层、设于第二半导体层上的有源层、设于有源层上的第一半导体层以及设于第一半导体层上的第一电极。本实用新型的垂直结构LED芯片不仅可以消除键合绑定时产生的应力，防止金属溢出，还可以降低芯片的电压。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种垂直结构LED芯片。

背景技术

LED作为一种新型的绿色照明光源越来越受到人们的重视，其具有节能环保、发光高效、抗静电、使用寿命长等诸多优点，被应用于各种照明场所。现有的LED芯片主要分为正装结构、倒装结构和垂直结构三大类。三大类传统LED芯片的制作方法中都会使用一种光刻工艺。光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。

光刻工艺包括涂覆光刻胶、曝光和显影这三个步骤，以光刻胶为掩膜来制作出所需的各种形状的膜层。其中，光刻工艺的三个步骤中会使用到一些化学试剂，如光刻胶是一种高分子化合物，显影工艺中用到的显影液是一种碱性化学试剂，其价格昂贵、成本高，不正确回收处理还会对我们的环境造成污染。针对这些问题，本实用新型专利提供一种创新的制造方法，是一种全工艺制程中无光刻工艺的制造方法。本制造方法主要针对的是垂直结构的LED芯片，因为垂直结构LED芯片结构具有方向性强的特点，是一种垂直于水平面上的膜层累加的结构。此结构特点适用于本实用新型无光刻制造方法的实施。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种垂直结构LED芯片，结构简单，成本低。

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种垂直结构LED芯片，可以消除键合绑定时产生的应力，防止金属溢出，还可以降低芯片的电压

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片，包括第二键合缓冲层、依次设于第二键合缓冲层上的第二键合金属层、设于第二键合金属层上的第一键合金属层、设于第一键合金属层上的第一键合缓冲层、设于第一键合金属层上的金属反射层、设于金属反射层上的第二半导体层、设于第二半导体层上的有源层、设于有源层上的第一半导体层以及设于第一半导体层上的第一电极。

作为上述方案的改进，所述第一键合缓冲层的结构为Cr/Ti/Pt/Ti/Pt/Ti/Pt。

作为上述方案的改进，所述第一键合缓冲层的结构为Cr/Ni/Pt/Ni/Pt。

作为上述方案的改进，所述第一键合缓冲层的结构为Cr/Ti/Pt/Ni/Pt。

作为上述方案的改进，所述第二键合缓冲层的结构为Cr/Ti/Pt/Ti/Pt/Ti/Pt。

作为上述方案的改进，所述第二键合缓冲层的结构为Cr/Ni/Pt/Ni/Pt。

作为上述方案的改进，所述第二键合缓冲层的结构为Cr/Ti/Pt/Ni/Pt。

作为上述方案的改进，所述第一键合金属层由Au或Sn或AuSn制成。

作为上述方案的改进，所述第二键合金属层由Au或Sn或AuSn制成。

实施本实用新型，具有如下有益效果：

本实用新型的垂直结构LED芯片，通过设置第一键合缓冲层和第二键合缓冲层来消除绑定第一键合金属层和第二键合金属层时产生的应力。此外，本实用新型的第一键合缓冲层和第二键合换从层还可以防止第一键合金属层和第二键合金属层的金属外溢，提高芯片的良率。