[实用新型]半导体器件

说明书

本实用新型公开一种半导体器件。其中，所述半导体器件包括半导体基板；钝化层，设置在半导体基板上；阳极，包括主体部和连接所述主体部的第一延伸部及第二延伸部，其中所述主体部设置在所述钝化层远离所述半导体基板的一侧，所述第一延伸部贯穿所述钝化层且部分伸入所述半导体基板、以及所述第一延伸部远离所述主体部的端部和所述半导体基板之间设置有介质层，所述第二延伸部贯穿所述钝化层且部分伸入所述半导体基板、以及所述第二延伸部远离所述主体部的端部与所述半导体基板形成肖特基接触；阴极，贯穿所述钝化层、且所述阴极的端面与所述半导体基板形成肖特基接触。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件结构。

背景技术

肖特基势垒二极管是利用金属接触半导体层制成的一种半导体器件。其和传统意义上的半导体二极管相比，具有反向恢复时间极短的特点，因此，肖特基势垒二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路。氮化镓材料是第三代宽禁带半导体材料，由于其具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀和抗辐射等特点，其成为制作短波光电子器件和高压高频率大功率器件的最佳材料。综上，使用氮化镓材料制备的肖特基势垒二极管结合了上述肖特基势垒二极管和氮化镓材料的优势，具有开关速度快、场强高和热学性能好等优点，在功率整流器市场有很好的发展前景。

然而传统的肖特基势垒二极管结构反向漏电很大，电场最强的地方集中在阳极边缘，导致电场强度分布不均匀，减小了主肖特基结的电场强度，降低了氮化镓基(GaN-based)肖特基势垒二极管的耐压，影响了氮化镓基肖特基势垒二极管的性能。针对肖特基结构反向漏电很大这一问题，虽然目前已经有很多研究提出解决方案，例如采用肖特基结终端等，可以减小反向电流。但是，采用COMS兼容工艺很难制作出低漏电的肖特基势垒二极管。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术中肖特基势垒二极管反向漏电大，采用COMS兼容工艺很难制作出低漏电的肖特基势垒二极管等技术问题，提出了一种半导体器件结构。

具体地，本实用新型实施例提出的一种半导体器件包括：衬底；缓冲层，设置在所述衬底上；势垒层，设置在所述缓冲层远离所述衬底的一侧；钝化层，设置在所述势垒层远离所述缓冲层的一侧；第一阳极接触孔，贯穿所述钝化层且伸入所述势垒层；介质层，设置在所述钝化层远离所述势垒层的一侧以及所述第一阳极接触孔内；第二阳极接触孔，贯穿所述介质层、所述钝化层且伸入所述势垒层；阳极，包括第一金属层和第二金属层，其中所述第一金属层设置在所述介质层远离钝化层的一侧、以及延伸至所述第一阳极接触孔和所述第二阳极接触孔内以覆盖位于所述第一阳极接触孔底部的所述介质层和所述第二阳极接触孔底部，所述第二金属层设置在所述第一金属层上且填充所述第一阳极接触孔和所述第二阳极接触孔；阴极接触孔，贯穿所述介质层和所述钝化层；阴极，设置在所述介质层上以及填充所述阴极接触孔；场板，设置在所述介质层上、且位于所述阳极和所述阴极之间的区域内。

另一方面，本实用新型的一个实施例提出一种半导体器件，包括：半导体基板；钝化层，设置在所述半导体基板上；第一阳极接触孔，贯穿所述钝化层且伸入所述半导体基板；介质层，设置在所述钝化层远离所述半导体基板的一侧以及所述第一阳极接触孔内；第二阳极接触孔，贯穿所述介质层、所述钝化层且伸入所述半导体基板；阳极，包括第一金属层和第二金属层，其中所述第一金属层设置在所述介质层远离钝化层的一侧、以及延伸至所述第一阳极接触孔和所述第二阳极接触孔内以覆盖位于所述第一阳极接触孔底部的所述介质层和所述第二阳极接触孔底部，所述第二金属层设置在所述第一金属层上且填充所述第一阳极接触孔和所述第二阳极接触孔；阴极接触孔，贯穿所述介质层和所述钝化层；阴极，设置在所述介质层上以及填充所述阴极接触孔。

在本实用新型的一个实施例中，上述半导体基板包括：衬底；氮化镓缓冲层，设置在所述衬底上；以及氮化铝镓势垒层，设置在所述氮化镓缓冲层远离所述衬底的一侧。

在本实用新型的一个实施例中，上述半导体器件还包括场板，所述场板设置在所述介质层上、且位于所述阳极和所述阴极之间的区域。