[实用新型]治具组合有效
申请号: | 201821574651.1 | 申请日: | 2018-09-26 |
公开(公告)号: | CN208806232U | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 陈孟端 | 申请(专利权)人: | 正恩科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/677 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 移取 最底层 开口侧 目标物 支撑 治具组合 固持 取出 邻接 盒体 移动 预定距离 沟槽式 叠放 肋部 取放 置放 横跨 悬空 | ||
一种治具组合,包括:用于叠放多个晶圆的盒体,具有相对的第一支撑侧与第二支撑侧、邻接该第一支撑侧与第二支撑侧的开口侧、及邻接该第一支撑侧、第二支撑侧与开口侧的强化侧,其中,该目标物悬空置放于该第一与第二支撑侧之间,且该强化侧具有沟槽式通道及横跨该通道的肋部;用于取放所述晶圆的第一移取构件;以及用于固持及移动最底层晶圆的第二移取构件,以于该第二移取构件固持该目标物并朝该开口侧移动该目标物后,该第一移取构件自该开口侧取出该目标物。该治具组合于进行取出该最底层晶圆的作业中,先以该第二移取构件固持该最底层晶圆并朝该盒体的出口处移动该最底层晶圆至一预定距离,再以该第一移取构件取出该最底层晶圆。
技术领域
本申请关于一种半导体工艺用的治具组合,特别涉及一种用于取放晶圆的治具组合。
背景技术
现有半导体工艺中,晶圆于制造完成后,会进行薄化工艺、切单工艺、封装工艺等,其中,切单工艺的方式繁多,例如、激光切割、机械切割、劈裂分离等。
现有晶圆会暂时层叠存放于一存储匣中,以依工艺需求,借由一移取件自该存储匣中取出所述晶圆而进行相关工艺。
具体地,如图1A及图1B所示的治具组合1中,该存储匣10具有左、右侧壁10a、10b,且其前侧10c与后侧10d为开口状,而顶侧10e为镂空状,并于其底侧10f上具有一沟槽式通道100及横跨该通道100的强化肋部101,其中,该存储匣10的左、右侧壁10a、10b上设有多个位置相互对称配置的支撑条102,以悬空叠放多个晶圆8、9,且借由该强化肋部101加强该存储匣10的结构强度,以避免所述晶圆8、9撑开左、右侧壁10a、10b而导致所述晶圆8、9掉落的情况发生。
此外,该移取件11为机器手臂,其端处具有牙叉状板体110,以沿着该存储匣10的前侧10c朝该后侧10d的方向(如箭头方向Z1)穿过各该晶圆9之间的有效间隙d而承接所述晶圆9的底面9a,使该晶圆9的重心位于该板体110的垂直投影区域内,再将所述晶圆9由该存储匣10中朝该存储匣10的前侧10c(如箭头方向Z2)移出该存储匣10。另一方面,该移取件11也可沿着该存储匣10的前侧10c朝该后侧10d的方向(如箭头方向Z1)穿过位于最底层的晶圆8与该强化肋部101之间的预留间隙s(其高度小于该有效间隙d的高度),以承接该最底部的晶圆8的底面8a,使该最底部的晶圆8的重心位于该板体110的垂直投影区域内,再将其自该存储匣10中朝该存储匣10的前侧10c(如箭头方向Z2)移出该存储匣10。
然而,现有移取件11的厚度t对应该最底层的晶圆8与该强化肋部101之间的预留间隙s,故当该预留间隙s的高度不足时,则该板体110无法穿过该预留间隙s,致使该最底部的晶圆8的重心没有位于该板体110的垂直投影区域内,因而无法取出该最底层的晶圆8;若该最底部的晶圆8的重心没有位于该板体110的垂直投影区域内时,该板体110仍强行取出该晶圆8,该晶圆8会从该板体110上翻落。
例如,该最底层的晶圆8于工艺后常发生翘曲现象,如图1C所示,使该最底层的晶圆8的下垂部分会占据部分该预留间隙s,甚至接触该强化肋部101,致使该移取件11的板体110无法穿过该预留间隙s,导致该移取件11无法承接及移出该最底部的晶圆8。
须注意,因该有效间隙d的高度远大于该预留间隙s的高度,故即使其它晶圆9发生翘曲现象而占据部分该有效间隙d,该移取件11仍可穿过该有效间隙d而承接及移出其它晶圆9。
此外,为了避免该移取件11无法承接及移出该最底部的晶圆8的问题,遂有业者省略于该存储匣10中的最底层的支撑条102上放置晶圆8,即该存储匣10中少放一片晶圆,但此方式需增加该存储匣10的数量以满足生产线对于晶圆数量的需求,故不仅需增加该存储匣10的运输成本,且需增加工艺中移取晶圆的时间而大幅增加后续产品的制作成本。
因此,如何克服上述现有技术的种种问题,实已成目前亟欲解决的课题。
实用新型内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造