[实用新型]肖特基势垒二极管

权利要求书

1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：

半导体基板；

钝化层，设置在所述半导体基板上；

介质层，设置在所述钝化层上、且延伸至第一阳极部接触孔和第二阳极部接触孔内以覆盖所述第一阳极部接触孔的底部和所述第二阳极部接触孔的底部，其中，所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔贯穿所述钝化层、且伸入所述半导体基板内部但不贯穿所述半导体基板；

阳极，设置在所述介质层上、且包括第一阳极部、第二阳极部和第三阳极部，其中，所述第一阳极部、所述第二阳极部和所述第三阳极部分别填充相互间隔设置的所述第一阳极部接触孔、所述第二阳极部接触孔和第三阳极部接触孔、且伸入所述半导体基板内部，所述第三阳极部接触孔贯穿所述介质层和所述钝化层、且伸入所述半导体基板内部但不贯穿所述半导体基板，所述第三阳极部接触孔位于所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔之间；以及

第一阴极和第二阴极，设置在所述介质层上、且填充第一阴极接触孔和第二阴极接触孔，其中，所述第一阴极和所述第二阴极位于所述阳极的相对两侧，所述第一阴极接触孔和所述第二阴极接触孔贯穿所述介质层和所述钝化层；

其中，所述第一阳极部、所述第二阳极部和所述第三阳极部在所述介质层上方连接在一起。

2.如权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述半导体基板包括由下至上依次设置的硅衬底、氮化镓缓冲层和氮化铝镓势垒层。

3.如权利要求2所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述第一阳极部、所述第二阳极部和所述第三阳极部伸入所述氮化铝镓势垒层但不贯穿所述氮化铝镓势垒层。

4.如权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述第一阴极和所述第二阴极由欧姆接触金属层组成，所述阳极由从下至上依次设置的阳极金属层和所述欧姆接触金属层组成，所述欧姆接触金属层包括从下至上依次设置的第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和第一氮化钛层。

5.如权利要求2所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述第一阳极部接触孔的底部、所述第二阳极部接触孔的底部和所述第三阳极部接触孔的底部距离所述氮化铝镓势垒层底部的距离相等。

6.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：

半导体基板，包括由下至上依次设置的半导体衬底、缓冲层和势垒层；

隔离层，设置在所述半导体基板上、且延伸至第一阳极部接触孔和第二阳极部接触孔内以覆盖所述第一阳极部接触孔的底部和所述第二阳极部接触孔的底部，其中，所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔伸入所述势垒层但不贯穿所述势垒层；以及

阳极，设置在所述隔离层上、且包括第一阳极部、第二阳极部和第三阳极部，其中，所述第一阳极部、所述第二阳极部和所述第三阳极部分别填充相互间隔设置的所述第一阳极部接触孔、所述第二阳极部接触孔和第三阳极部接触孔、且伸入所述势垒层内部，所述第三阳极部接触孔贯穿所述隔离层、且伸入所述势垒层但不贯穿所述势垒层，所述第三阳极部接触孔位于所述第一阳极部接触孔和所述第二阳极部接触孔之间；

阴极，设置在所述隔离层上、且填充阴极接触孔，其中所述阴极接触孔贯穿所述隔离层；

其中，所述第一阳极部、所述第二阳极部和所述第三阳极部在所述隔离层上方连接在一起。

7.如权利要求6所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述阴极由欧姆接触金属层组成，所述第一阳极部、所述第二阳极部和所述第三阳极部中每一者由从下至上依次设置的阳极金属层和所述欧姆接触金属层组成，所述欧姆接触金属层包括从下至上依次设置的第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和第一氮化钛层，所述阳极金属层为氮化钛层。

8.如权利要求6所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述第一阳极部、所述第二阳极部和所述第三阳极部为一体成型结构。