[实用新型]玻璃基板的清洗装置

说明书

本实用新型提供了一种玻璃基板的清洗装置，用于清洗去除玻璃基板上的绕镀膜层，涉及光伏及半导体制造的技术领域，清洗装置包括第一清洗机构和第二清洗机构；第一清洗机构和第二清洗机构间隔设置，且分别与玻璃基板的两侧对应，用于将与其对应的背面及侧部的位置清洗；第一清洗机构和第二清洗机构具有能够吸附清洗液的清洗部，清洗部在与玻璃基板接触时将玻璃基板上的绕镀膜层清洗去除；缓解现有技术中存在的为防止玻璃基板绕镀膜层而制作掩膜板而带来的制造成本高、制造难度高的技术问题；在保证玻璃基板绕镀膜层清除的基础上，降低成本，具有更好的实际应用价值和推广价值。

技术领域

本实用新型涉及光伏及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种玻璃基板的清洗装置。

背景技术

在目前的光伏及半导体行业中，物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称为PVD)，PVD真空镀膜方法被大量使用，该方法制作方式稳定，工艺较容易控制，成膜速度也比较高，但是在成膜的过程当中很难避免被镀玻璃基板的背板有膜层被镀上去造成绕镀的情况，绕镀会造成玻璃基板边缘产生寄生电阻的风险，进而会对组件应用产生影响。

现有技术中，在目前的生产过程中通常采用以下方法来避免绕镀：在PVD进腔室之前按使用特定的掩膜装置安装有掩膜板，将被镀玻璃基板进行保护防止绕镀。

但是，现有技术中普遍采用的掩膜保护的方法需要特定的掩膜板，制造成本较高，且需要与被镀玻璃基板有比较好的匹配性，这一要求对掩膜板的制作增加了一定的难度且会使整体的生产成本提高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种玻璃基板的清洗装置，以缓解现有技术中存在的为防止玻璃基板绕镀膜层而制作掩膜板而带来的制造成本高、制造难度高的技术问题中的至少一个问题。

本实用新型的实施例是这样实现的：

本实用新型提供的一种玻璃基板的清洗装置，用于清洗去除玻璃基板上的绕镀膜层，所述清洗装置包括第一清洗机构和第二清洗机构；所述第一清洗机构和第二清洗机构间隔设置，且分别与玻璃基板的两侧对应，用于将与玻璃基板对应的背面及侧部的位置清洗；

第一清洗机构和第二清洗机构具有能够吸附清洗液的清洗部，所述清洗部在与所述玻璃基板接触时将所述玻璃基板上的绕镀膜层清洗去除。

在本实用新型较佳的实施例中，所述清洗部的材料包括多孔弹性材料。

在本实用新型较佳的实施例中，所述清洗部吸附的清洗液包括5％-10％的盐酸、10％的冰醋酸或10％的氨水中的任一种。

在本实用新型较佳的实施例中，所述清洗部的宽度范围为：5-8cm；

玻璃基板边缘均位于所述清洗部的清洗范围内，且玻璃基板的边缘与所述清洗部的端面的间距范围为：0.5-1cm。

在本实用新型较佳的实施例中，所述第一清洗机构和第二清洗机构均包括支撑架和清洗部；

所述支撑架与所述清洗部连接，所述支撑架用于将所述清洗部固定于玻璃基板的任一侧，且能够与所述玻璃基板接触的位置。

在本实用新型较佳的实施例中，所述第一清洗机构和第二清洗机构均还包括储液部；

所述清洗部远离玻璃基板的一侧与所述储液部连通，所述储液部内存储有所述清洗液，并能够将所述清洗液传输至所述清洗部处。

在本实用新型较佳的实施例中，所述储液部通过输送管与所述清洗部连通；

所述储液部位于高于所述清洗部水平位置的位置；

所述输送管上设置有用于调节输送清洗液流速的调节部。

在本实用新型较佳的实施例中，所述储液部通过输送管与所述清洗部连通；