[实用新型]一种开关管散热器有效
| 申请号: | 201821563334.X | 申请日: | 2018-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN208674102U | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
| 发明(设计)人: | 夏明晶;刘永军;关祥礼;吕梦瑶 | 申请(专利权)人: | 山东盖伊尔智能电气有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 271100 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 散热器 散热基板 底面 开关管 本实用新型 波浪形结构 散热鳍片 散热体 散热基板顶面 散热座底面 瞬间大电流 节省资源 一体制成 安装位 功率管 瞬态热 基底 下凸 承载 保证 | ||
本实用新型公开了一种开关管散热器,包括散热体,所述散热体包括散热基板,所述散热基板底面一体制成有散热鳍片,所述散热基板底面为波浪形结构;所述散热鳍片底面在同一平面;所述散热基板顶面安装有至少一IGBT开关管;所述IGBT开关管安装于散热基板底面下凸处。本实用新型的开关管散热器,散热座底面为波浪形结构,其能够保证功率管安装位处的基底厚度,保证能够承载瞬间大电流产生的瞬态热冲击,其余部位厚度薄,能够降低散热器重量,同时能够节省资源,降低成本。
技术领域
本实用新型涉及一种散热器,尤其涉及一种开关管散热器,属于散热器技术领域。
背景技术
IGBT经常作为开关管使用,其开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通;反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断;IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性;当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压;大功率IGBT开关管发热量很大,需要固定在散热器上进行散热,基底的厚度主要是承载瞬间大电流产生的瞬态热冲击,瞬态热冲击产生的热量主要集中在功率管附近,除功率管附近的其他地方主要是承载正常工作时的均匀散热,所以对基底厚度的要求不一致,现有技术的IGBT开关管散热器,如图1所示,其基底A为直槽结构,基底厚度均一致,其质量重,且容易造成资源浪费。
实用新型内容
为解决上述问题,本实用新型提出了一种开关管散热器,保证能够承载瞬间大电流产生的瞬态热冲击,同时能够节省资源,降低成本。
本实用新型的开关管散热器,包括散热体,所述散热体包括散热基板,所述散热基板底面一体制成有散热鳍片,所述散热基板底面为波浪形结构;所述散热鳍片底面在同一平面;所述散热基板顶面安装有至少一IGBT开关管;所述IGBT开关管安装于散热基板底面下凸处,散热基板底面下凸处厚度最厚,能够承载IGBT开关管瞬间大电流产生的瞬态热冲击,散热基板其余部位厚度薄,能够降低散热器重量,同时能够节省资源,降低成本。
作为优选的实施方案,所述散热基板顶面于IGBT开关管外部轴向开设有槽体。
进一步地,所述槽体靠近IGBT开关管一面为斜坡面。
与现有技术相比,本实用新型的开关管散热器,散热座底面为波浪形结构,其能够保证功率管安装位处的基底厚度,保证能够承载瞬间大电流产生的瞬态热冲击,其余部位厚度薄,能够降低散热器重量,同时能够节省资源,降低成本。
附图说明
图1是本实用新型现有技术结构示意图。
图2是本实用新型实施例1结构示意图。
图3是本实用新型实施例2结构示意图。
具体实施方式
实施例1:
如图2所示的开关管散热器,包括散热体,所述散热体包括散热基板1,所述散热基板1底面一体制成有散热鳍片2,所述散热基板1底面为波浪形结构;所述散热鳍片2底面在同一平面;所述散热基板1顶面安装有至少一IGBT开关管3;所述IGBT开关管3安装于散热基板底面下凸处4,散热基板1底面下凸处4厚度最厚,能够承载IGBT开关管瞬间大电流产生的瞬态热冲击,散热基板其余部位厚度薄,能够降低散热器重量,同时能够节省资源,降低成本。
实施例2:
如图3所示,本实施例与实施例1基本一致,其中所述散热基板1顶面于IGBT开关管外部轴向开设有槽体5;所述槽体5靠近IGBT开关管一面为斜坡面6。
上述实施例,仅是本实用新型的较佳实施方式,故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰,均包括于本实用新型专利申请范围内。
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