[实用新型]一种开关管散热器有效

专利信息
申请号: 201821563334.X 申请日: 2018-09-26
公开(公告)号: CN208674102U 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 夏明晶;刘永军;关祥礼;吕梦瑶 申请(专利权)人: 山东盖伊尔智能电气有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 271100 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 散热器 散热基板 底面 开关管 本实用新型 波浪形结构 散热鳍片 散热体 散热基板顶面 散热座底面 瞬间大电流 节省资源 一体制成 安装位 功率管 瞬态热 基底 下凸 承载 保证
【说明书】:

本实用新型公开了一种开关管散热器,包括散热体,所述散热体包括散热基板,所述散热基板底面一体制成有散热鳍片,所述散热基板底面为波浪形结构;所述散热鳍片底面在同一平面;所述散热基板顶面安装有至少一IGBT开关管;所述IGBT开关管安装于散热基板底面下凸处。本实用新型的开关管散热器,散热座底面为波浪形结构,其能够保证功率管安装位处的基底厚度,保证能够承载瞬间大电流产生的瞬态热冲击,其余部位厚度薄,能够降低散热器重量,同时能够节省资源,降低成本。

技术领域

本实用新型涉及一种散热器,尤其涉及一种开关管散热器,属于散热器技术领域。

背景技术

IGBT经常作为开关管使用,其开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通;反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断;IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性;当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压;大功率IGBT开关管发热量很大,需要固定在散热器上进行散热,基底的厚度主要是承载瞬间大电流产生的瞬态热冲击,瞬态热冲击产生的热量主要集中在功率管附近,除功率管附近的其他地方主要是承载正常工作时的均匀散热,所以对基底厚度的要求不一致,现有技术的IGBT开关管散热器,如图1所示,其基底A为直槽结构,基底厚度均一致,其质量重,且容易造成资源浪费。

实用新型内容

为解决上述问题,本实用新型提出了一种开关管散热器,保证能够承载瞬间大电流产生的瞬态热冲击,同时能够节省资源,降低成本。

本实用新型的开关管散热器,包括散热体,所述散热体包括散热基板,所述散热基板底面一体制成有散热鳍片,所述散热基板底面为波浪形结构;所述散热鳍片底面在同一平面;所述散热基板顶面安装有至少一IGBT开关管;所述IGBT开关管安装于散热基板底面下凸处,散热基板底面下凸处厚度最厚,能够承载IGBT开关管瞬间大电流产生的瞬态热冲击,散热基板其余部位厚度薄,能够降低散热器重量,同时能够节省资源,降低成本。

作为优选的实施方案,所述散热基板顶面于IGBT开关管外部轴向开设有槽体。

进一步地,所述槽体靠近IGBT开关管一面为斜坡面。

与现有技术相比,本实用新型的开关管散热器,散热座底面为波浪形结构,其能够保证功率管安装位处的基底厚度,保证能够承载瞬间大电流产生的瞬态热冲击,其余部位厚度薄,能够降低散热器重量,同时能够节省资源,降低成本。

附图说明

图1是本实用新型现有技术结构示意图。

图2是本实用新型实施例1结构示意图。

图3是本实用新型实施例2结构示意图。

具体实施方式

实施例1:

如图2所示的开关管散热器,包括散热体,所述散热体包括散热基板1,所述散热基板1底面一体制成有散热鳍片2,所述散热基板1底面为波浪形结构;所述散热鳍片2底面在同一平面;所述散热基板1顶面安装有至少一IGBT开关管3;所述IGBT开关管3安装于散热基板底面下凸处4,散热基板1底面下凸处4厚度最厚,能够承载IGBT开关管瞬间大电流产生的瞬态热冲击,散热基板其余部位厚度薄,能够降低散热器重量,同时能够节省资源,降低成本。

实施例2:

如图3所示,本实施例与实施例1基本一致,其中所述散热基板1顶面于IGBT开关管外部轴向开设有槽体5;所述槽体5靠近IGBT开关管一面为斜坡面6。

上述实施例,仅是本实用新型的较佳实施方式,故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰,均包括于本实用新型专利申请范围内。

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