[实用新型]一种硅基单片红外像素传感器

权利要求书

1.一种硅基单片红外像素传感器，其特征在于，所述硅基单片红外像素传感器包括:

硅基衬底；

位于所述硅基衬底上的缓冲层；以及

位于所述缓冲层上的红外探测器和晶体管，

其中，

所述红外探测器采用锗锡(GeSn)材料，

所述缓冲层厚度0.5～2微米，还包括，

兼作抗反射层的保护层，以促进所述红外探测器对红外光的吸收。

2.如权利要求1所述的硅基单片红外像素传感器，其特征在于，

所述硅基衬底的材料为硅或绝缘体上的硅，

所述缓冲层材料为锗或者锗硅(SiGe)。

3.如权利要求1所述的硅基单片红外像素传感器，其特征在于，

所述红外探测器由靠近所述缓冲层侧向远离所述缓冲层侧依次包括：n型接触层，红外光吸收层，以及p型接触层，

其中，所述n型接触层和所述p型接触层的材料为锗(Ge)或者锗锡(GeSn)，所述红外光吸收层的材料为锗锡(GeSn)。

4.如权利要求1所述的硅基单片红外像素传感器，其特征在于，

所述红外探测器和所述晶体管通过导体材料电连接。

5.如权利要求1所述的硅基单片红外像素传感器，其特征在于，

所述保护层为SiO₂。

6.如权利要求1所述的硅基单片红外像素传感器，其特征在于，

所述缓冲层厚度1微米。