[实用新型]一种双SLC闪存晶片的封装结构

说明书

本实用新型公开了一种双SLC闪存晶片的封装结构，包括基板、第一层芯片、可流动膜、第二层芯片、第三层芯片和三根引线，所述第一层芯片封装在可流动膜下表面，第二层芯片封装在可流动膜上表面，所述第三层芯片封装在第二层芯片上，所述引线连接第一层芯片和基板、第二层芯片和基板以及第三层芯片和基板。本实用新型通过设置能够支持双片选的控制芯片，利用可流动膜堆叠的方式来放置两个芯片，在更小的封装面积上实现了更大的容量存储，满足了市场对更大存储的需求。

技术领域

本实用新型涉及SD卡，具体是一种双SLC闪存晶片的封装结构。

背景技术

SD卡作为一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备，被广泛应用于便携式装置上，随着电子器件集成化程度不断加深，且电子产品趋于小型化发展，这也意味着存储器件的小型化成为现在的一种发展趋势，这不仅要求单个产品的小型化，同时也对电子器件的封装技术提出了更高的要求。

LGA8 6x8封装过去只能实现最大4Gb容量的SD Nand，一是因为6x8的封装比较小，二是SLC的Nand的晶片面积比较大，最大只能放置19nm的 4Gb SLC Nand的晶片。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种双SLC闪存晶片的封装结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种双SLC闪存晶片的封装结构，包括基板、第一层芯片、可流动膜、第二层芯片、第三层芯片和三根引线，所述第一层芯片封装在可流动膜下表面，第二层芯片封装在可流动膜上表面，所述第三层芯片封装在第二层芯片上，所述引线连接第一层芯片和基板、第二层芯片和基板以及第三层芯片和基板。

作为本实用新型进一步的方案：所述第三层芯片为能够支持两个片选的控制芯片。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型通过设置能够支持双片选的控制芯片，利用可流动膜堆叠的方式来放置两个芯片，在更小的封装面积上实现了更大的容量存储，满足了市场对更大存储的需求。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，一种双SLC闪存晶片的封装结构，包括基板1、第一层芯片2、可流动膜3、第二层芯片4、第三层芯片5和三根引线6，所述第一层芯片2封装在可流动膜3下表面，第二层芯片4封装在可流动膜3上表面，实现在LGA8 6x8封装上将容量翻倍，所述第三层芯片5封装在第二层芯片4上，第三层芯片5为能够支持两个片选的控制芯片，所述引线6用于连接第一层芯片2和基板1、第二层芯片4和基板1以及第三层芯片5和基板1，可流动膜3可以压着第一层芯片2上的打线，而不破坏打线状态。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。