[实用新型]一种基于氧化物半导体器件的储物装置

权利要求书

1.一种基于氧化物半导体器件的储物装置，包括装置本体，其特征在于：所述装置本体包括上盖体以及箱体，所述上盖体位于所述箱体的上部，所述箱体包括开口，所述上盖体的内侧壁与所述开口的外侧壁抵触连接，在所述上盖体的两侧各设置有第一连接件，所述箱体的两侧各设置有与所述第一连接件配合锁紧的第二连接件；

所述箱体包括隔挡壁以及被所述隔挡壁分割成互不相通的第一存储区域、第二存储区域，所述隔挡壁内嵌入氧化物半导体制冷片，所述氧化物半导体制冷片的第一侧面朝向第一存储区域，所述氧化物半导体制冷片与所述第一侧面相反位置的第二侧面朝向第二存储区域。

2.根据权利要求1所述的一种基于氧化物半导体器件的储物装置，其特征在于：所述第一连接件为磁铁，所述第二连接件为能被所述磁铁吸附的磁性件。

3.根据权利要求1所述的一种基于氧化物半导体器件的储物装置，其特征在于：所述第一连接件为第一锁扣件，所述第二连接件为第二锁扣件，所述第一锁扣件包括第一固定件以及能绕着所述第一固定件的两端进行转动的第一扣环，所述第二锁扣件包括第二固定件，所述第二固定件包括在远离所述箱体的一端向下延伸出的凸块，所述第一扣环向下转动至所述第二固定件处时与所述凸块扣合连接。

4.根据权利要求1所述的一种基于氧化物半导体器件的储物装置，其特征在于：所述上盖体还包括把手，所述把手与所述上盖体的两侧进行转动连接。

5.根据权利要求1所述的一种基于氧化物半导体器件的储物装置，其特征在于：所述隔挡壁包括第一隔挡壁、第二隔挡壁以及第三隔挡壁，所述氧化物半导体制冷片位于所述第一隔挡壁上，所述第二隔挡壁与所述第三隔挡壁分别垂直于所述第一隔挡壁，所述第二隔挡壁位于所述第一存储区域且将所述第一存储区域分成两个存储格，所述第三隔挡壁位于所述第二存储区域且将所述第二存储区域分成两个存储格。

6.根据权利要求1所述的一种基于氧化物半导体器件的储物装置，其特征在于：所述装置本体还包括与所述氧化物半导体制冷片连接的电源极性转换电路、处于箱体外侧壁上的开关按键与电源接头以及位于所述箱体底部的控制器，所述控制器分别与所述开关按键、所述电源接头、所述电源极性转换电路进行电连接。