[实用新型]存储器结构有效
| 申请号： | 201821536454.0 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN209029383U | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 夏志良;陈俊;鲍琨;董金文;华文宇;靳磊;江宁;刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电区域 衬底层 存储器结构 第一表面 第二表面 隔离结构 存储层 屏蔽层 本实用新型 存储器 隔离 外围 包围 贯穿 | ||
1.一种存储器结构，其特征在于，包括：
衬底层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底层内形成有导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的第一表面，所述导电区域的底部朝向所述衬底层的第二表面；
存储层，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上；
隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述导电区域边缘，包围所述导电区域设置，用于隔离所述导电区域与所述隔离结构外围的衬底层；
所述导电区域包括：位于所述导电区域底部的屏蔽层，以及位于所述屏蔽层上方的P型掺杂阱。
2.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述屏蔽层为金属层或N型重掺杂层。
3.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述屏蔽层与所述衬底层的第二表面共面。
4.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述P型掺杂阱包括P型重掺杂区和位于所述P型重掺杂区内的P型掺杂区。
5.根据权利要求4所述的存储器结构，其特征在于，所述存储层内形成有第一接触部，所述第一接触部连接至所述P型重掺杂区。
6.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述导电区域还包括位于所述P型掺杂阱外围的N型重掺杂区。
7.根据权利要求6所述的存储器结构，其特征在于，所述存储层内还形成有第二接触部，所述第二接触部连接至所述N型重掺杂区。
8.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述隔离结构包括贯穿所述衬底层的隔离沟槽和填充满所述隔离沟槽的隔离材料。
9.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述存储层内形成有存储堆叠结构以及贯穿所述存储堆叠结构的若干沟道孔结构，所述沟道孔结构底部位于所述P型掺杂区表面。
10.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底层第二表面的介质层，所述隔离结构还贯穿所述介质层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
