[实用新型]一种用于检测晶圆背面的形貌的检测设备

说明书

本实用新型提供一种用于检测晶圆背面的形貌的检测设备，其中，检测设备包括晶圆背面检测装置、边缘区域吸盘及中心区域吸盘；晶圆背面检测装置位于晶圆背面下方与晶圆平行设置；边缘区域吸盘用于吸附晶圆背面边缘区域，并显露晶圆背面中心区域；中心区域吸盘用于吸附晶圆背面中心区域，且中心区域吸盘的水平截面不大于晶圆背面中心区域。可获得晶圆背面的具体形貌，准确的判断晶圆背面的杂质的位置及大小，降低生产成本、提高生产效率、节约人力资源及提高产品质量。

技术领域

本实用新型属于半导体集成电路领域，涉及一种用于检测晶圆背面的形貌的检测设备。

背景技术

在半导体集成电路领域中，半导体集成电路中的电路图案，通常是采用光刻工艺制备获得，光刻工艺一直被认为是集成电路制造中最关键的步骤，其在整个工艺过程中需要被多次使用，对产品的质量有着重要的影响。

光刻工艺是一个复杂的过程，主要包括以下步骤：首先在基底上形成待刻蚀薄膜层，再使用涂胶机，在待刻蚀薄膜层上涂布(Coating)光刻胶，并通过曝光机将光经过具有一定图形的掩膜版照射在光刻胶上使其曝光(Exposure)，而后利用显影液对光刻胶进行显影(Developing)，从而将掩膜版中的图形转移到光刻胶上形成光刻胶图案，最后在光刻胶图案的保护下对待刻蚀薄膜层进行刻蚀(Etch)工艺，从而将光刻胶图案转移到待刻蚀薄膜层中，图形化薄膜层获得电路图案。光刻工艺对晶圆的背面平整度有很高的要求，如若晶圆背面平整度太差，会导致曝光平台对晶圆的真空吸附效果变差，造成退片；即使晶圆不被退片，晶圆背面的不平整也会造成不平整区域的曝光图案的离焦，造成曝光图案失真。现有技术中，在晶圆曝光之前没有专门的针对晶圆背面平整度的检查，只有在对晶圆曝光时才能知道结果。退片的晶圆或曝光图案存在离焦的晶圆都需要进行返工，造成机台时间以及材料的浪费，同时延长了晶圆的出货时间。

因此晶圆背面的杂质会造成：1)降低晶圆的平整度；2)晶圆的退片以及返工；3)增加生产成本；4)降低生产效率；5)人力资源的浪费。有必要提供一种用于检测晶圆背面的形貌的检测设备，及时预警晶背有问题的晶圆，通知操作人员提前采取相应措施，避免背面带有杂质的晶圆进入后续工艺以引起上述问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种用于检测晶圆背面的形貌的检测设备，用于检测晶圆背面的杂质，避免背面带有杂质的晶圆进入后续工艺。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种用于检测晶圆背面的形貌的检测设备，所述晶圆包括晶圆背面中心区域以及包围所述晶圆背面中心区域的晶圆背面边缘区域，所述检测设备包括：

晶圆背面检测装置，位于所述晶圆背面下方与所述晶圆平行设置；

边缘区域吸盘，用于吸附所述晶圆背面边缘区域，并显露所述晶圆背面中心区域；

中心区域吸盘，用于吸附所述晶圆背面中心区域，且所述中心区域吸盘的水平截面不大于所述晶圆背面中心区域。

可选的，所述晶圆背面检测装置包括：

激光器，提供光束；

空间滤波器，过滤所述光束；

扩束器，扩大经所述空间滤波器过滤后的所述光束的范围；

起偏器，将经所述扩束器扩大后的所述光束转换成线偏振光；

分束器，将所述线偏振光转换成反射光束，所述反射光束经物镜入射到晶圆背面，且经所述晶圆背面的反射后，通过所述物镜返回至所述分束器并转换成透射光束；

剪切发生器，将所述透射光束产生横向剪切量；

λ/4波片，将产生横向剪切量的所述透射光束产生恒定相位差；

检偏器，将所述透射光束变成振动方向一致的干涉光束；