[实用新型]一种选择性钝化接触太阳能电池有效
| 申请号： | 201821517979.X | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN209104161U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 吴慧敏;张小明;方结彬;林纲正;陈刚 | 申请（专利权）人： | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 322009 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 正电极 掺杂多晶硅层 太阳能电池 减反膜层 隧穿层 硅片 钝化 本实用新型 选择性钝化 非电极区域 掺杂硅层 钝化作用 硅片正面 有效地 遮挡 太阳能 穿过 吸收 | ||
1.一种选择性钝化接触太阳能电池，其特征在于，包括硅片，以及设于硅片正面的正电极，所述正电极与硅片之间依次设有第一减反膜层、掺杂多晶硅层和钝化隧穿层；所述正电极穿过所述第一减反膜层、掺杂多晶硅层并与所述钝化隧穿层接触。
2.如权利要求1所述的选择性钝化接触太阳能电池，其特征在于，所述电池还包括依次设于硅片正面非电极区域的N+硅层和第二减反膜层；以及依次设于硅片背面的第一钝化膜层、第二钝化膜层和背电场层。
3.如权利要求1或2所述的选择性钝化接触太阳能电池，其特征在于，所述钝化隧穿层由SiO2制成，其厚度为1-8nm；所述掺杂多晶硅层厚度为20-100nm。
4.如权利要求3所述的选择性钝化接触太阳能电池，其特征在于，所述钝化隧穿层厚度为2-5nm；所述掺杂多晶硅层厚度为30-80nm。
5.如权利要求1所述的选择性钝化接触太阳能电池，其特征在于，所述第一减反膜层由氮化硅制成，其厚度为10-40nm。
6.如权利要求1所述的选择性钝化接触太阳能电池，其特征在于，所述硅片为P型单晶硅材料；所述掺杂多晶硅层为磷掺杂N+型多晶硅材料。
7.如权利要求2所述的选择性钝化接触太阳能电池，其特征在于，所述第二减反膜层为氮化硅材料。
8.如权利要求2所述的选择性钝化接触太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化膜层为氧化铝材料；所述第二钝化膜层为氮化硅材料。
9.如权利要求2所述的选择性钝化接触太阳能电池，其特征在于，所述背电场层为铝材料。
10.如权利要求9所述的选择性钝化接触太阳能电池，其特征在于，所述背电场层通过激光开槽与硅片形成线接触。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
