[实用新型]一种基于二硫苏糖醇和金纳米复合膜的L-半胱氨酸传感器有效
| 申请号： | 201821514896.5 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN209460194U | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 曹忠;袁璇;彭与煜;唐玲;刘陈;朱钦;刘楚;肖忠良 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 刘佳芳 |
| 地址： | 410114 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传感器 纳米复合膜 金电极 场效应晶体管 半胱氨酸 栅极延长 苏糖 本实用新型 二硫苏糖醇 响应灵敏度 表面组装 临床医学 生命科学 响应关系 制备过程 检出限 金膜层 灵敏 响应 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于二硫苏糖醇和金纳米复合膜的L-半胱氨酸传感器，所述传感器包括场效应晶体管，所述场效应晶体管上设有栅极延长的金电极，其特征在于，所述栅极延长的金电极中，所述栅极部分延长0.1-500mm的距离，金电极的金膜层(10)表面组装有二硫苏糖醇/金纳米复合膜(12)。
2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述场效应晶体管包括Si基底层(1)和设于Si基底层(1)上的多晶硅栅极(7)；所述Si基底层(1)上植入p阱(2)和N型衬底(3)，所述p阱(2)处设有源电极(4)和漏电极(5)，被植入p阱(2)和N型衬底(3)并构建有源电极(4)和漏电极(5)的Si基底层(1)上设有二氧化硅层(6)；所述多晶硅栅极(7)的基底层上依次镀上铝铜合金层(8)、铬钯合金层(9)和金膜层(10)；在多晶硅栅极(7)的基底层和二氧化硅层(6)上还设有氮化硅层(11)。
3.如权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述铝铜合金层(8)的厚度为20-600nm，铬钯合金层(9)的厚度为20—600nm，金膜层(10)的厚度为20—1000nm。
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