[实用新型]一种新型光耦有效
| 申请号： | 201821503623.0 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN208835084U | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 陈明辉;吴质朴;何畏;陈强 | 申请（专利权）人： | 深圳市奥伦德元器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/12 | 分类号： | H01L31/12 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光耦 高频三极管 光敏二极管 输出端 光敏三极管 高效节能 输入端 本实用新型 发光二极管 放大作用 传输 正电极 感光 光效 生产成本 芯片 | ||
1.一种新型光耦，其特征在于：包括输入端和输出端，所述输入端为发光二极管(100)，所述输出端包括高频三极管(300)和用于进行接收所述发光二极管(100)所发出光线的光敏二极管(200)，所述光敏二极管(200)的正电极电连接至高频三极管(300)的基极。
2.根据权利要求1所述的一种新型光耦，其特征在于：所述发光二极管(100)为红外发光二极管。
3.根据权利要求1所述的一种新型光耦，其特征在于：所述光敏二极管(200)包括负电极(210)、n型半导体层(220)、本征半导体层(230)、p型半导体层(240)和正电极(250)，所述负电极(210)、n型半导体层(220)、本征半导体层(230)、p型半导体层(240)和正电极(250)由下至上依次层叠设置，所述正电极(250)电连接至所述高频三极管(300)的基极。
4.根据权利要求3所述的一种新型光耦，其特征在于：所述正电极(250)为p型电极。
5.根据权利要求3所述的一种新型光耦，其特征在于：所述负电极(210)为n型电极。
6.根据权利要求1所述的一种新型光耦，其特征在于：所述高频三极管(300)包括集电极(310)、n型基底(320)、p型层(330)、n型层(350)、基极(340)和发射极(360)，所述集电极(310)、n型基底(320)和p型层(330)由下至上依次层叠设置，所述p型层(330)的上表面依次层叠设置有所述的n型层(350)和发射极(360)，所述p型层(330)的上表面还直接设置有所述的基极(340)，所述基极(340)电连接至所述光敏二极管(200)的正电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
