[实用新型]一种SiC功率器件终端有效
| 申请号： | 201821482781.2 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN208706654U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;叶鹏;杨卓;华凌飞 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 功率器件 导电类型阱 导电类型 场限环 外延层 终端 本实用新型 分立 半导体技术领域 产品合格率 阴极金属层 交替设置 依次设置 衬底层 钝化层 | ||
1.一种SiC功率器件终端，其特征在于，所述SiC功率器件终端包括：自下而上依次设置的阴极金属层（1）、第一导电类型衬底层（2）和第一导电类型外延层（3），所述第一导电类型外延层（3）上设置有多个间隔分立的第二导电类型场限环（5），所述第一导电类型外延层（3）上设置有多个间隔分立的第二导电类型阱区（4），所述第二导电类型阱区（4）与所述第二导电类型场限环（5）交替设置，所述第二导电类型阱区（4）和所述第二导电类型场限环（5）上设置钝化层（7）。
2.根据权利要求1所述的SiC功率器件终端，其特征在于，所述第二导电类型阱区（4）的深度大于所述第二导电类型场限环（5）的深度。
3.根据权利要求1所述的SiC功率器件终端，其特征在于，所述第二导电类型阱区（4）的杂质浓度低于所述第二导电类型场限环（5）的杂质浓度。
4.根据权利要求1所述的SiC功率器件终端，其特征在于，所述第二导电类型阱区（4）与所述第二导电类型场限环（5）重叠部分区域设置。
5.根据权利要求1所述的SiC功率器件终端，其特征在于，所述第二导电类型阱区（4）与所述第二导电类型场限环（5）分离且相邻设置。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的SiC功率器件终端，其特征在于，所述第一导电类型外延层（3）的上表面设置氧化保护层（6）。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的SiC功率器件终端，其特征在于，SiC功率器件包括N型SiC功率器件和P型SiC功率器件，当所述SiC功率器件为N型功率器件时，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，当所述SiC功率器件为P型SiC功率器件时，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
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