[实用新型]腔室冷却装置及半导体加工设备有效
| 申请号: | 201821482745.6 | 申请日: | 2018-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN208767255U | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
| 发明(设计)人: | 刘皓 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 冷却管 冷却装置 冷却槽 腔室 半导体加工设备 本实用新型 冷却液体 出流口 进水管 流量调节阀 水流均匀性 独立控制 流速损失 通断阀 种腔室 湍流 管壁 喷出 盛放 紧凑 | ||
本实用新型提供一种腔室冷却装置及半导体加工设备,包括:冷却槽,设置在腔室底部,用于盛放冷却液体;多根冷却管,设置在冷却槽中,且在多根冷却管的管壁上均设置有出流口,多根冷却管上的出流口喷出的水流能够带动冷却槽中的冷却液体形成旋转湍流;多根进水管,一一对应地与多根冷却管连接;并且,在每根进水管上设置有通断阀和流量调节阀。本实用新型提供的腔室冷却装置,其可以使结构更紧凑、减少流速损失,还可以对多根冷却管中的流量进行独立控制,从而可以提高可操作性和水流均匀性。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,具体地,涉及一种腔室冷却装置及半导体加工设备。
背景技术
化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,以下简称CVD)技术是一种用于产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术,典型的CVD制程是将晶圆暴露在一种或多种不同的前驱物下,在一定工艺温度下,在晶圆表面发生化学反应和/或化学分解,以在晶圆上产生薄膜。
对于任何一种CVD技术,温度控制都是十分关键的技术之一,尤其是CVD反应腔室的温度控制。在进行工艺阶段,反应腔室内部温度较高,可达1100℃,即使在工艺结束阶段和取片阶段,反应腔室内部温度也会有350℃,因此需要时刻对反应腔室进行冷却。
现有的腔室冷却装置利用冷却液分配装置将冷却液分配至两路进水管,再由两路进水管将冷却液传输至多个出水管,多个出水管用于均匀地朝向腔室喷出冷却液。但是,该腔室冷却装置在实际应用中不可避免地存在以下问题:
其一,冷却液分配装置、进水管和出水管的结构复杂,占用空间大。
其二,冷却液依次经由冷却液分配装置、进水管和出水管喷出,流动路径较长,流速损失较大。
其三,多个出水管中的流量是由冷却液分配装置进行控制,而无法独立控制,因此,可操作性较差,且无法保证能够获得均匀水流。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种腔室冷却装置及半导体加工设备,其可以使结构更紧凑、减少流速损失,还可以对多根冷却管中的流量进行独立控制,从而可以提高可操作性和水流均匀性。
为实现本实用新型的目的而提供一种腔室冷却装置,包括:
冷却槽,设置在腔室底部,用于盛放冷却液体;
多根冷却管,设置在所述冷却槽中,且在多根所述冷却管的管壁上均设置有出流口,多根所述冷却管上的出流口喷出的水流能够带动所述冷却槽中的冷却液体形成旋转湍流;
多根进水管,一一对应地与多根所述冷却管连接;并且,在每根所述进水管上设置有通断阀和流量调节阀。
优选的,多根所述冷却管上的出流口分布在以所述冷却槽的中心为圆心的圆周上,且位于所述冷却槽的中心区域;并且,每个所述出流口的喷流方向为所述圆周的切线方向。
优选的,每根所述冷却管的轴线水平设置;每个所述出流口的喷流方向相对于所述冷却管的轴线倾斜向上设置。
优选的,每个所述出流口的喷流方向与所述冷却管的轴线之间的夹角的取值范围在40°~60°。
优选的,每根所述冷却管上的所述出流口为多个,且沿所述冷却管的轴向间隔分布。
优选的,所述冷却管的远离所述出流口的一端与所述冷却槽中心之间的连线和所述冷却管的轴线之间的夹角为0°或者为锐角。
优选的,所有所述冷却管对应的所述夹角相同;或者,至少两根所述冷却管对应的所述夹角不同。
优选的,多根所述冷却管均为弯管或者直管;或者,多根所述冷却管中有至少一根弯管;其余冷却管为直管。
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