[实用新型]一种SAR ADC电容阵列的共模电压校正电路有效
申请号: | 201821476728.1 | 申请日: | 2018-09-10 |
公开(公告)号: | CN208739100U | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 顾晓峰;刘康生;虞致国 | 申请(专利权)人: | 江南大学 |
主分类号: | H03M1/10 | 分类号: | H03M1/10;H03M1/12;H03M1/40 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214122 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 共模电压 校正电路 差分电容 比较器 输入端 本实用新型 电容阵列 集成电路技术 漂移 电路输出 控制信号 模电压 上极板 输出端 线性度 电路 下级 引入 | ||
1.一种SAR ADC电容阵列的共模电压校正电路,其特征在于:包括差分电容阵列、共模电压校正电路(3)、比较器(4)及SAR控制逻辑电路(5),所述差分电容阵列的上极板接比较器(4)的输入端,所述SAR控制逻辑电路(5)输出的控制信号接入差分电容阵列的下级板,同时接入共模电压校正电路(3)的输入端,所述共模电压校正电路(3)的输出端接比较器(4)的输入端。
2.根据权利要求1所述的一种SAR ADC电容阵列的共模电压校正电路,其特征在于:所述差分电容阵列包括P端电容阵列(1)和N端电容阵列(2)。
3.根据权利要求2所述的一种SAR ADC电容阵列的共模电压校正电路,其特征在于:所述P端电容阵列(1)包括相互并联的电容C1P、C2P、C3P……C(n-1)P,且电容C1P、C2P、C3P……C(n-1)P的上极板连接比较器(4)的正输入端VP,所述比较器(4)的正输入端VP通过开关KP接采样输入端VIP,电容C1P、C2P、C3P……C(n-1)P的下极板分别接SAR控制逻辑电路(5)输出的控制信号KP1、KP2、KP3……KP(n-1);所述N端电容阵列(2)包括相互并联的电容C1N、C2N、C3N……C(n-1)N,且电容C1N、C2N、C3N……C(n-1)N的上极板连接比较器(4)的负输入端VN,所述比较器(4)的负输入端VN通过开关KN接采样输入端VIN,电容C1N、C2N、C3N……C(n-1)N的下极板分别接SAR控制逻辑电路(5)输出的控制信号KN1、KN2、KN3……KN(n-1)。
4.根据权利要求3所述的一种SAR ADC电容阵列的共模电压校正电路,其特征在于:所述P端电容阵列(1)和N端电容阵列(2)由二进制电容阵列构成,所述电容CiP=CiN=2C(i+1)P=2C(i+1)N,C(n-2)P=C(n-2)N=C(n-1)P=C(n-1)N=C,i=1~n-2,n大于等于4;其中n为SAR ADC电容阵列的位数,C为电容的最小单位。
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