[实用新型]半导体器件

说明书

本实用新型实施例公开了一种半导体器件，包括具有多个有源区的衬底，所述有源区包括源漏极区和在所述源漏极区之间的位线接触区，所述有源区在所述源漏极区和所述位线接触区之间设置字线段和掩埋所述字线段的字线绝缘结构，所述位线接触区相对凹陷于所述源漏极区；保护层，形成于所述源漏极区上，且所述保护层覆盖所述字线绝缘结构并具有在所述位线接触区上形成的接触通道，所述接触通道连通到所述位线接触区；缓冲层，位于所述接触通道的侧壁，所述缓冲层再定义所述接触通道的宽度；以及位线层，形成在所述接触通道之上且高于所述保护层，且所述位线层还具有一体形成在所述接触通道内的位线接触部。

技术领域

本实用新型涉及半导体动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)制造技术领域，特别涉及一种半导体器件。

背景技术

在动态随机存取存储器中，包括多个存储单元，其中，每个存储单元包含一个MOS晶体管和一个存储电容，MOS晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semi-conductor Field Effect Transistor)的简称。MOS晶体管通过与漏极连接的位线接触(Bit Line Contact)对存储电容进行充放电过程，所以位线接触的阻值大小影响着存储电容充放电的速度。目前的位线由多晶硅层和金属层形成。包括多晶硅层和金属层的位线，阻值较大，导致流过位线的电流较小，进而导致对存储电容的充放电速度较慢。

因此，如何降低位线的接触电阻，是本领域技术人员急需要解决的技术问题。

在背景技术中公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种半导体器件，以至少解决背景技术中存在的技术问题。

本实用新型实施例的技术方案是这样实现的，根据本实用新型的实施例，提供一种半导体器件，包括：

具有多个有源区的衬底，所述有源区包括源漏极区和在所述源漏极区之间的位线接触区，所述有源区在所述源漏极区和所述位线接触区之间设置字线段和掩埋所述字线段的字线绝缘结构，所述位线接触区相对凹陷于所述源漏极区；

保护层，形成于所述源漏极区上，且所述保护层覆盖所述字线绝缘结构并具有在所述位线接触区上形成的接触通道，所述接触通道连通到所述位线接触区；

缓冲层，位于所述接触通道的侧壁，所述缓冲层再定义所述接触通道的宽度；以及

位线层，形成在所述接触通道之上且高于所述保护层，所述位线层还具有一体形成在所述接触通道内的位线接触部。

本实用新型实施例由于采用以上技术方案，其具有以下优点：位线层和位线接触部是一体化形成的，位线层和位线接触部连接更为紧密；缓冲层一方面起到了应力缓冲的作用，另一方面将位线接触部和字线段隔开，使得两者保持一定的距离，从而避免位线接触部过于接近所述字线段而造成漏电流或电性干扰；阻挡层将位线接触部和位线接触区隔开，避免所述位线接触部和所述位线接触区直接接触造成的所述位线接触部向所述位线接触区的扩散。

上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本实用新型进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

附图说明

在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本实用新型公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本实用新型范围的限制。

图1为本实用新型实施例一的半导体器件的制备方法的流程图；