[实用新型]检光二极管有效
申请号: | 201821463270.6 | 申请日: | 2018-09-06 |
公开(公告)号: | CN208923159U | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 黄润杰;周佳祥 | 申请(专利权)人: | 鼎元光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L21/02;H01L31/109;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李坤 |
地址: | 中国台湾新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检光二极管 基板 本实用新型 侧面 入光面 外延层 响应度 耦光 | ||
一种检光二极管,包括:一基板,该基板的侧面为一呈斜面的入光面;以及一外延层,设置于该基板的上方。因此,本实用新型的检光二极管在侧面耦光时具有优良的响应度。
技术领域
本实用新型涉及一种检光二极管,尤其涉及一种可增加侧面收光的响应度的检光二极管。
背景技术
检光二极管(Photodiode)是一种将光信号转变为电信号的半导体元件,常见应用有太阳能电池、电荷耦合元件(CCD)等。常见的检光二极管有PN型、PIN型、雪崩型(Avalanche)等型式。
以PN型的检光二极管为例,其工作原理是将一PN接面施以一反向偏压以及内建一电场,当光照射在PN接面的空乏区,则光子中的能量可给予一受束缚的电子,使其克服能隙(energy gap),从价带(valence band)跃升至传导带(conduction band)。电子进入传导带之后,价带中则产生空穴,形成一组电子空穴对,电子空穴受到电场的驱动便产生光电流,并可在外接电路与负载上输出电压,完成了光信号转换成电信号的过程。
然而,现有的检光二极管多为正面耦光及背面耦光,而虽有部分检光二极管可从侧面耦光,仍有收光面积小造成响应度不足的缺点,因此作为光感测器时,未能有效转换来自侧面的光线。
实用新型内容
因此,有必要提出一种创作以改善上述问题。
本实用新型为解决现有技术的问题所采用的技术手段为提供一种检光二极管,包括:一基板,该基板的侧面为一呈斜面的入光面;以及一外延层,设置于该基板的上方。
在本实用新型的检光二极管的一实施例中,其中该入光面与该基板的法线的夹角为25度至75度。
在本实用新型的检光二极管的一实施例中,其中该入光面与该基板的法线的夹角为30度至60度。
在本实用新型的检光二极管的一实施例中,其中该入光面与该基板的法线的夹角为45度。
在本实用新型的检光二极管的一实施例中,还包括一蚀刻停止层,该蚀刻停止层设置于该基板及该外延层之间。
在本实用新型的检光二极管的一实施例中,还包括一抗反射层,设置于该外延层上方,且该抗反射层为金属合金。
在本实用新型的检光二极管的一实施例中,其中该金属合金包括Ti、Pt、Au及AuGeNi。
通过本实用新型的技术手段,提出一种检光二极管,利用位于该基板侧面形成的呈斜面的入光面,使得检光二极管从侧面耦光时也具有十分高的响应度,具有更加广泛的应用层面。
附图说明
图1A为本实用新型的检光二极管的一实施例的示意图。
图1B为本实用新型的检光二极管的另一实施例的示意图。
图2A为本实用新型的检光二极管侧面耦光的示意图。
图2B为本实用新型的具有另一种倾斜方式的入光面的检光二极管的侧面耦光的示意图。
图3为本实用新型的检光二极管的一制造流程图。
图4为本实用新型的检光二极管的另一制造流程图。
【符号说明】
100-检光二极管;
1-基板;
11-入光面;
2-外延层;
3-蚀刻停止层;
41-电极;
42-电极;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的