[实用新型]一种低残压ESD保护电路有效
| 申请号： | 201821463056.0 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN208862560U | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张猛;梁令荣;黄俊 | 申请（专利权）人： | 伯恩半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三极管 二极管 阴极 阳极 残压 集电极连接 本实用新型 发射极连接 电阻 电阻连接 降低器件 静电保护 阳极连接 一端连接 发射极 浪涌 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种低残压ESD保护电路，其特征在于：包括第一二极管D1、第二二极管D2、第一TVS管T1、第二TVS管T2、三极管Q1和电阻R1；所述第一TVS管T1的阳极与电阻R1连接；所述第一TVS管T1的阴极与三极管Q1的集电极连接；所述三极管Q1的基极与第一TVS管T1的阳极连接；所述三极管的发射极与电阻R1的另一端连接；所述第二TVS管T2的阳极与三极管Q1的发射极连接，阴极与三极管Q1的集电极连接；所述第一二极管D1的阴极与三极管Q1的集电极连接；所述第一二极管D1的阳极与第二二极管D2的阴极连接；所述第二二极管D2的阳极与三极管Q1的发射极连接。
2.如权利要求1所述的低残压ESD保护电路，其特征在于：所述第一二极管D1和第二二极管D2为低电容二极管。
3.如权利要求1所述的低残压ESD保护电路，其特征在于：所述三极管Q1为NPN晶体管。
4.如权利要求1所述的低残压ESD保护电路，其特征在于：所述三极管Q1的发射极作为电路的连接点B；所述第二二极管D2的阳极作为电路的连接点A。
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