[实用新型]一种半导体处理装置

说明书

本实用新型提供了一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室。第一腔室部具有在该第一腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第一槽道，第二腔室部具有在该第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第二槽道，在第二腔室部相对于第一腔室部位于关闭位置且微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一槽道和第二槽道连通并共同形成边缘微处理空间，容纳于微腔室内的半导体晶圆的外缘伸入边缘微处理空间。借助边缘微处理空间，本实用新型能够实现对半导体晶圆的外缘的处理。

【技术领域】

本实用新型涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及半导体处理装置。

【背景技术】

专利号为201210171681.9和201210088237.0的中国专利都公开了一种用于半导体晶圆处理的微腔室处理装置。所述微腔室处理装置均包括第一腔室部和第二腔室部，所述第一腔室部和第二腔室部可在一驱动装置的驱动下装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于容纳并处理该半导体晶圆的关闭位置之间相对移动。第一腔室部与第二腔室部处于关闭位置时形成一微腔室，半导体晶圆放置于所述微腔室内，所述第一腔室部和/或所述第二腔室部中包括一个或多个供处理流体进入的所述微腔室的入口和一个或多个供处理流体排出所述微腔室的出口。处理过程中，处理流体充满整个所述微腔室，而半导体晶圆则整体暴露在处理流体内，因此该微腔室处理装置仅适合对半导体晶圆的整体处理。

然而，在一些特殊的半导体器件工艺中，仅需要对半导体晶圆的外缘部分进行针对性处理，且处理过程中不能对半导体晶圆的其他部分造成影响。

例如，在一种半导体器件生产过程中，需要将半导体晶圆的外缘部分的薄膜层蚀刻去除而不能破坏其他部分的薄膜层，下面结合附图对该工艺进行描述。

请参考图1a至图1d，其中：图1a示出了一种半导体晶圆400的结构示意图，图1b为图1a的A-A剖视图；图1c为外缘处理前半导体晶圆的外缘的部分剖视图；图1d为外缘处理后半导体晶圆的外缘部分的剖视图。如图1a至图1d所示，半导体晶圆400包括基材层401及沉淀在基材层401的第一侧表面和第二侧表面的薄膜层402。经过对半导体晶圆400的外缘部分的针对性腐蚀处理后，所述半导体晶圆400的外缘部分的薄膜层402被去除，基材层401的第一侧表面和第二侧表面得以暴露。目前，为了实现对半导体晶圆的外缘的针对性腐蚀，一般采用干法工艺，将等离子体发生器对准半导体晶圆的外缘部分进行精准轰击以去除外缘部分的薄膜层，干法工艺的成本高昂、操作复杂。

鉴于此，有必要对现有技术中的微腔室处理装置进行改造，以研制出一种新型的能够实现对半导体晶圆的外缘进行针对性的处理的半导体处理装置。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于提供一种半导体处理装置，其能够实现对半导体晶圆的外缘的针对性处理。

为实现上述目的，本实用新型提供一种半导体处理装置，其包括：

第一腔室部；

可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，一片或多片叠放在一起的半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；

第一腔室部具有在该第一腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第一槽道，第二腔室部具有在该第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第二槽道，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一槽道和第二槽道连通并共同形成边缘微处理空间，容纳于所述微腔室内的半导体晶圆的外缘伸入所述边缘微处理空间，该边缘微处理空间通过边缘处理通孔与外部相通，流体通过所述边缘处理通孔进入或流出所述边缘微处理空间。