[实用新型]一种用于防震的IGBT尖峰吸收电容器有效

专利信息
申请号: 201821436470.2 申请日: 2018-09-03
公开(公告)号: CN208722748U 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 李明涛 申请(专利权)人: 深圳市创仕鼎电子有限公司
主分类号: H01G2/10 分类号: H01G2/10;H01G2/02
代理公司: 南昌华成联合知识产权代理事务所(普通合伙) 36126 代理人: 黄晶
地址: 518106 广东省深圳市光明新*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 芯子 引脚 防震组件 固定板 减震垫 电容器 电路板 尖峰吸收 电容体 电容 防震 电容器技术领域 震动 本实用新型 连接引脚 引脚端部 电连接 连接垫 外壳套 限位板 滑动 导柱 盲孔 焊接 保证
【说明书】:

实用新型属于电容器技术领域,具体涉及一种用于防震的IGBT尖峰吸收电容器,包括电容体、主体防震组件和引脚防震组件,所述电容体包括外壳、芯子和引脚,所述芯子上连接有所述引脚,所述引脚端部开设有盲孔,所述外壳套设在所述芯子的外侧,所述主体防震组件包括接触减震垫、固定板、限位板和导柱;在外壳上设有固定板,并且在固定板上固定有接触减震垫,通过接触减震垫与电路板之间的接触可以减少电路板和电容之间的相对震动,故增加了引脚焊接的稳定性,在芯子上的引脚上设有可与其滑动的连接引脚,并通过连接垫体进行包裹,可以保证芯子在发生小幅震动的情况下,仍可以保持电连接的稳定性,增加了电容使用的可靠性。

技术领域

本实用新型属于电容器技术领域,具体涉及一种用于防震的IGBT尖峰吸收电容器。

背景技术

IGBT是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

电容器一般通过焊锡焊接在电路板上,一些机械设备在运行时会产生一定频率和振幅的震动,而由于电容器具有一定的质量,焊点在震动过程中可能造成脱落,且在剧烈震动过程中,芯子容易晃动移位,与引脚之间发生偏移,脱离接触,降低了电容器的可靠性以及使用寿命。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于防震的IGBT尖峰吸收电容器,以解决上述背景技术中提出电容器一般通过焊锡焊接在电路板上,一些机械设备在运行时会产生一定频率和振幅的震动,而由于电容器具有一定的质量,焊点在震动过程中可能造成脱落,且在剧烈震动过程中,芯子容易晃动移位,与引脚之间发生偏移,脱离接触,降低了电容器的可靠性以及使用寿命的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种用于防震的IGBT尖峰吸收电容器,包括电容体、主体防震组件和引脚防震组件,所述电容体包括外壳、芯子和引脚,所述芯子上连接有所述引脚,所述引脚端部开设有盲孔,所述外壳套设在所述芯子的外侧,所述主体防震组件包括接触减震垫、固定板、限位板和导柱,所述固定板通过所述导柱固定在所述外壳的上下两端,所述限位板固定在所述外壳的外壁,所述接触减震垫固定在所述固定板的外壁靠近所述外壳的上方,所述引脚防震组件包括盖帽、连接引脚和连接垫体,所述盖帽螺接在所述外壳的外壁上方,所述连接垫体套设在所述引脚的外壁,所述连接垫体和所述芯子之间通过弹簧连接,所述连接引脚通过固定片固定在连接垫体的内壁,并滑动在所述引脚的顶端内壁,所述连接引脚贯穿所述接触减震垫,并与所述接触减震垫固定连接。

优选的,所述接触减震垫为橡胶材质,所述接触减震垫呈圆盘状,所述接触减震垫通过圆柱状的连接部与所述固定板固定连接,所述连接部上下两端均具有倒角。

优选的,所述连接引脚的外壁通过焊点固定有限位片,所述限位片固定在所述接触减震垫内部。

优选的,所述连接引脚和所述引脚之间过渡配合连接,所述连接垫体为橡胶材质,所述固定片和所述连接引脚焊接固定,所述芯子的底部设有乳胶垫。

优选的,所述限位板的内侧设有连接片和接触片,所述限位板通过连接片和所述接触片固定连接,所述接触片位于所述芯子的外壁。

优选的,所述接触片呈弧板状,所述接触片和所述连接片均为铜质。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:在外壳上设有固定板,并且在固定板上固定有接触减震垫,通过接触减震垫与电路板之间的接触可以减少电路板和电容之间的相对震动,故增加了引脚焊接的稳定性,在芯子上的引脚上设有可与其滑动的连接引脚,并通过连接垫体进行包裹,可以保证芯子在发生小幅震动的情况下,仍可以保持电连接的稳定性,增加了电容使用的可靠性。

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