[实用新型]一种侧面发光的LED芯片及显示装置有效
| 申请号： | 201821422182.1 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN208622762U | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 梁丽丽;李泽龙 | 申请（专利权）人： | 深圳TCL新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 侧面发光 本实用新型 电流扩散层 水平排列 显示装置 缓冲层 衬底 光斑 垂直分布 水平分布 传统的 发光层 光强 近场 凸点 | ||
1.一种侧面发光的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：衬底；设置在所述衬底上的缓冲层；设置在所述缓冲层上，且呈水平排列的P-N结；所述水平排列的P-N结中设置有发光层；所述P-N结上设置有电流扩散层；所述电流扩散层上设置有若干个凸点。
2.根据权利要求1所述的侧面发光的LED芯片，其特征在于，所述P-N结包括：
由P型层与N型层组成的核壳结构或者多量子阱结构。
3.根据权利要求2所述的侧面发光的LED芯片，其特征在于，所述P型层与N型层之间形成P-N结结区。
4.根据权利要求3所述的侧面发光的LED芯片，其特征在于，所述P型层与N型层之间的P-N结结区设置有发光层。
5.根据权利要求1所述的侧面发光的LED芯片，其特征在于，所述电流扩散层沿着P型层与N型层的上表面进行设置，并对所述P型层与N型层进行覆盖。
6.根据权利要求1所述的侧面发光的LED芯片，其特征在于，所述凸点包括：P凸点以及N凸点，所述P凸点设置在P型层的电流扩散层上；所述N凸点设置在N型层的电流扩散层上。
7.根据权利要求1所述的侧面发光的LED芯片，其特征在于，所述电流扩散层上还设置有用于将正上方的出光进行反射的反射镜层。
8.根据权利要求1所述的侧面发光的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片为倒装焊芯片结构。
9.根据权利要求1所述的侧面发光的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片为采用侧面出光封装LED芯片，或者采用CSP方式进行封装的LED芯片。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括上述权利要求1-9所述的侧面发光的LED芯片。
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