[实用新型]有源区阵列及半导体器件

说明书

本实用新型提供了一种有源区阵列及半导体器件。有源区阵列可基于间距倍增工艺自对准形成多个有源延伸线，并且两两相邻的两条有源延伸线成对设置以构成一有源延伸线对组，有源延伸线对组中位于其中一条有源延伸线中的多个有源区与位于另一条有源延伸线中的多个有源区一一相对设置。如此，不仅可以实现有源区尺寸远小于光刻工艺的最小特征尺寸，并且可使有源区阵列中有源区的排布密集度呈多倍增加。

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路技术领域，特别涉及一种有源区阵列及一种半导体器件。

背景技术

在半导体集成电路器件中，常常需要在衬底中定义出有源区阵列，并在所述有源区阵列的多个有源区中制备相应的器件单元。根据传统的有源区阵列的形成方法，通常是利用光刻工艺直接定义出所述有源区阵列的图形。然而，基于光刻工艺的精度限制，利用光刻工艺直接定出的图形其最小尺寸仅能够达到光刻工艺的极限尺寸而无法进一步缩小。

目前，随着半导体技术的不断发展，半导体器件趋于小型化。因此，需要相应的缩减有源区的尺寸，以提高有源区阵列中的有源区的排布密集程度，并提高有源区在阵列区域中利用率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种有源区阵列，以解决现有的有源区阵列中有源区尺寸无法进一步缩减的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种有源区阵列，包括多个有源区，所述有源区沿着第一方向延伸，并且沿着所述第一方向对齐排布多个所述有源区构成一有源延伸线，所述有源区阵列中的多个所述有源延伸线沿着第二方向依次排布，并且两两相邻的两条所述有源延伸线成对设置以构成一有源延伸线对组，所述有源延伸线对组中，位于其中一条有源延伸线中的多个有源区与位于另一条有源延伸线中的多个有源区一一相对设置。

可选的，两两相邻的两组所述有源延伸线对组，构成一延伸线重复单元，每一所述延伸线重复单元包括沿着所述第二方向依次排布的第一有源延伸线、第二有源延伸线、第三有源延伸线和第四有源延伸线；

其中，在同一延伸线重复单元中，所述第二有源延伸线和所述第三有源区延伸线相互背离的两个边界之间的间隔尺寸小于等于光刻工艺的最小特征尺寸；以及，在相邻的所述延伸线重复单元中，其中一个延伸线重复单元中的第二有源延伸线和另一个延伸线重复单元的第三有源延伸线相互靠近的两个边界之间的间隔尺寸大于等于光刻工艺的最小特征尺寸。

可选的，在同一延伸线重复单元中，所述第一有源延伸线和所述第二有源延伸线之间的间隔尺寸，以及所述第三有源延伸线和所述第四有源延伸线之间的间隔尺寸均介于20nm～50nm。

可选的，在同一延伸线重复单元中，所述第二有源延伸线和所述第三有源延伸线之间的间隔尺寸介于10nm～40nm。

可选的，在相邻的所述延伸线重复单元中，其中一个延伸线重复单元中的所述第四有源延伸线和另一个延伸线重复单元中的所述第三有源延伸线之间的间隔尺寸介于10nm～40nm。

可选的，所述有源区的宽度尺寸介于25nm～60nm，沿着所述第二方向相邻的所述有源区之间的间隔尺寸介于10nm～40nm。

本实用新型的又一目的在于提供一种半导体器件，其具体包括如上所述的有源区阵列。

可选的，所述半导体器件包括集成电路存储器，所述有源区阵列中的多个有源区用于形成所述集成电路存储器的多个存储单元。

在本实用新型提供的有源区阵列中，可基于间距倍增工艺自对准形成多个有源延伸线，并且两两相邻的两条有源延伸线成对设置以构成一有源延伸线对组，所述有源延伸线对组中，位于其中一条有源延伸线中的多个有源区与位于另一条有源延伸线中的多个有源区一一相对设置。本实用新型中的有源区阵列，即使基于现有的光刻工艺的精度限制，仍可以实现有源区尺寸远小于光刻工艺的最小特征尺寸，并且可使有源区阵列中有源区的排布密集度呈多倍增加。