[实用新型]铅酸电池低电压充电装置和充电器有效
申请号: | 201821411226.0 | 申请日: | 2018-08-30 |
公开(公告)号: | CN208608762U | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 龚士权;张健行 | 申请(专利权)人: | 纽福克斯光电科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 苏胜 |
地址: | 201799 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池电压 预设电压 单片机 电池 低电压 充电器 单片机输出脉冲 充电控制电路 充电 输出PWM信号 场效应管 充电装置 铅酸电池 双MOS管 本实用新型 宽度调制 上电 采集 | ||
1.一种铅酸电池低电压充电装置,其特征在于,包括充电控制电路和单片机,所述充电控制电路包括场效应管,所述场效应管包括MOS管和双MOS管,所述单片机与所述充电控制电路连接;
在所述单片机采集第一电池的第一电池电压的情况下,如果所述第一电池电压低于第一预设电压,则所述单片机输出脉冲宽度调制PWM信号,控制所述MOS管的栅极对所述第一电池进行充电;
如果所述第一电池电压高于所述第一预设电压,则所述单片机停止输出所述PWM信号;
在所述单片机采集第二电池的第二电池电压的情况下,如果所述第二电池电压低于第二预设电压,则所述单片机输出脉冲PWM信号,控制所述双MOS管的栅极对所述第二电池进行充电;
如果所述第二电池电压高于所述第二预设电压,则所述单片机停止输出所述PWM信号。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述充电控制电路还包括二极管D1;
在所述充电控制电路中,电阻R10的一端输入所述PWM信号;所述电阻R10的另一端与三极管Q2的基极连接;所述三极管Q2的发射极与地线连接;所述三极管Q2的集电极与电阻R2的一端连接;所述电阻R2的另一端分别与电阻R1的一端和所述MOS管Q1的栅极连接;电容E1的正极与所述电阻R1的另一端和所述MOS管Q1的源极连接;所述电容E1的负极与地线连接;所述MOS管Q1的漏极与所述二极管D1的正极连接;所述二极管D1的负极与第一电池的正极连接;所述第一电池的负极与所述三极管Q2的发射极连接。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述双MOS管包括MOS管Q3和MOS管Q4;
在所述充电控制电路中,电阻R10的一端输入所述PWM信号;所述电阻R10的另一端与三极管Q2的基极连接;所述三极管Q2的发射极与地线连接;所述三极管Q2的集电极与电阻R2的一端连接;所述电阻R2的另一端分别与所述MOS管Q3、所述MOS管Q4和电阻R1连接;电容E1的正极与所述电阻R1的另一端和所述MOS管Q3的漏极连接;所述电容E1的负极与地线连接;所述MOS管Q3的源极与所述MOS管Q4的源极连接;所述MOS管Q4的漏极与第二电池的正极连接;所述第二电池的负极与所述三极管Q2的发射极连接。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述包括MOS管Q1、所述MOS管Q3和所述MOS管Q4包括P沟道MOS管。
5.根据权利要求2或3所述的装置,其特征在于,所述三极管Q2为NPN型三极管。
6.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述电阻R1、所述电阻R2和所述电阻R10包括碳膜电阻。
7.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述二极管D1包括锗二极管和硅二极管。
8.一种充电器,其特征在于,包括权利要求1至权利要求7任意一项所述的铅酸电池低电压充电控制装置,还包括外设电源。
9.根据权利要求8所述的充电器,其特征在于,所述外设电源与所述铅酸电池低电压充电控制装置中的单片机和电容E1连接;所述外设电源,用于给所述第一电池和所述第二电池提供充电电源。
10.根据权利要求9所述的充电器,其特征在于,所述充电器还用于在所述单片机无法识别当前电池的电压的情况下,通过外部信号使所述单片机输出PWM信号。
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