[实用新型]引线框架的固定装置有效

专利信息
申请号: 201821406861.X 申请日: 2018-08-29
公开(公告)号: CN208819871U 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 华良 申请(专利权)人: 杭州友旺科技有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/31;H01L23/367
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 冯丽欣
地址: 310053 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 引线框架 管脚 基岛 承载平台 固定装置 散热片 底块 压板 加热 承载 压持 可拆卸连接 键合过程 依次连接 引线键合 凸台 申请
【说明书】:

本申请公开了一种引线框架的固定装置,所述引线框架包括依次连接的散热片、第一基岛和第二基岛,以及位于所述第二基岛周围的管脚,所述固定装置包括:加热底块,包括用于承载所述散热片和所述第一基岛的第一承载平台、用于承载所述第二基岛的第二承载平台和用于承载所述管脚的第三承载平台;管脚压板,位于所述加热底块的上方,用于压持所述引线框架的所述管脚;以及散热片压板,位于所述加热底块上方,并且与所述管脚压板可拆卸连接,用于压持所述散热片。本申请的引线框架的固定装置在加热底块和管脚压板上分别设置第二承载平台和凸台,能完成两个或多个基岛引线框架的引线键合,且增加了键合过程的稳定性。

技术领域

实用新型涉及半导体器件的封装领域,特别地,涉及一种引线框架的固定装置。

背景技术

近年来,随着功率电子领域需求的提高,能实现转换和控制电能流动的半导体功率器件正被广泛地研究和开发,尤其是需要实现功率开关的器件,例如能够控制大功率和实现高性能的功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,MOSFET)、功率双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)、绝缘栅双极性晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)等。半导体功率器件要进行变频、变压、变流、功率管理等各种功率处理任务,需要具有处理高电压、大电流的能力。

半导体集成电路的制造工艺中,多重封装是重要的工序之一,其中包括集成电路芯片与引脚,以及后续的封装。现有的集成电路封装大多采用成本较低的引线键合工艺,即采用引线框架键合装置进行引线键合。现有技术中的半导体功率器件封装结构,因内部引线框架只有一个基岛,键合固定装置相对比较简单,键合固定装置的加热底块的一个平面垫于引线框架的基岛下表面,另一平面垫于引线框架的管脚下表面;键合固定装置的压板压住引线框架的基岛和管脚的上表面。该类键合固定装置无法适用于两个或多个基岛的引线框架。而且在键合过程中,引线框架容易出现晃动,导致键合失败,降低成品率。

实用新型内容

有鉴于此,为了解决现有技术的问题,本实用新型提供一种引线框架的固定装置,能使两个或多个基岛的引线框架能在封装键合工序中稳定可靠地进行引线键合。

根据本实用新型提供一种引线框架的固定装置,所述引线框架包括依次连接的散热片、第一基岛和第二基岛,以及位于所述第二基岛周围的管脚,所述固定装置包括:加热底块,包括用于承载所述散热片和所述第一基岛的第一承载平台、用于承载所述第二基岛的第二承载平台和用于承载所述管脚的第三承载平台;管脚压板,位于所述加热底块的上方,用于压持所述引线框架的所述管脚;以及散热片压板,位于所述加热底块上方,并且与所述管脚压板可拆卸连接,用于压持所述散热片。

优选地,所述第二承载平台位于所述第一承载平台和所述第三承载平台之间。

优选地,所述加热底块为一体结构。

优选地,所述第一承载平台、所述第二承载平台和所述第三承载平台的高度不同。

优选地,所述第二承载平台包括从所述第一承载平台延伸到所述第三承载平台上的多个伸出部。

优选地,所述管脚压板包括:第一连接部,所述第一连接部呈条带状,用于与所述散热片压板相连接;多个压持部,每个压持部包括从所述第一连接部伸出的多个压爪,用来压持所述引线框架的管脚;以及安装部,与所述第一连接部相连,位于所述压持部的相反侧,用于可拆卸地安装到其他装置上。

优选地,每个所述压持部还包括:凸台,位于多个所述压爪一侧,从所述第一连接部伸出,用于压持所述引线框架的所述第二基岛。

优选地,所述第一连接部包括:第一通孔和第一螺纹孔,用于安装所述散热片压板。

优选地,所述安装部包括第二通孔、第一腰形孔以及第二腰型孔,用于所述管脚压板的安装。

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