[实用新型]一种薄膜太阳能电池的处理装置有效
申请号: | 201821398322.6 | 申请日: | 2018-08-28 |
公开(公告)号: | CN208767326U | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 张冲;王雪戈 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人: | 张婧 |
地址: | 100176 北京市北京经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜太阳能电池 本实用新型 处理装置 加热丝 加热 腔体 控制器控制 热处理装置 电池性能 收容空间 控制器 光伏 | ||
本实用新型实施例涉及光伏领域,公开了一种薄膜太阳能电池的处理装置。本实用新型中,薄膜太阳能电池的热处理装置包括:具有收容空间的腔体、加热所述腔体的加热丝,以及与所述加热丝相连的控制器,所述控制器控制加热丝的加热速度以及加热温度。本实用新型提供的薄膜太阳能电池的处理装置,能够提高电池性能。
技术领域
本实用新型实施例涉及光伏领域,特别涉及一种薄膜太阳能电池的处理装置。
背景技术
当今全球光伏市场是以晶体硅太阳能电池为主,但高能耗的生产工艺导致能源资源的快速消耗将使社会无法承受,也必将制约着光伏产业更大规模的发展。因此,发展低成本、新型薄膜太阳能电池是未来国际光伏产业的必然趋势。CIGS(CuInxGa(1-x)Se2的简称)薄膜太阳能电池,是由Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)四种元素构成最佳比例的黄铜矿结晶薄膜太阳能电池,是在玻璃或其它廉价衬底上沉积6层以上化合物半导体和金属薄膜料,薄膜总厚度约3~4微米。该电池成本低、性能稳定、抗辐射能力强,其光电转换效率目前是各种薄膜太阳能电池之首,光谱响应范围宽,在阴雨天光强下输出功率高于其它任何种类太阳能电池,被国际上称为下一时代最有前途的廉价太阳能电池之一。
CIGS薄膜太阳能电池中通常包含有CdS(硫化镉)层,CdS是一种直接带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,禁带宽度为2.42eV左右,常被用做薄膜太阳能电池的重要功能层材料。CdS层的制备方法有很多,包括磁控溅射、丝网印刷、热蒸发、电沉积和化学水浴沉积(Chemical Bath Deposition,CBD)等,其中CBD法属于非真空法,沉积设备简单;沉积温度低,能耗小;氨水可溶解CIGS表面的自然氧化物,达到清洁表面等作用,从而日益受到科研界及产业界青睐。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:通过CBD法沉积的CdS薄膜,由于晶粒较小,薄膜致密性差,容易形成漏电路径,从而降低电池性能。
发明内容
本实用新型实施方式的目的在于提供一种薄膜太阳能电池的处理装置,能够提高电池性能。
为解决上述技术问题,本实用新型的实施方式提供了一种薄膜太阳能电池的热处理装置,包括:具有收容空间的腔体、加热所述腔体的加热丝,以及与所述加热丝相连的控制器,所述控制器控制加热丝的加热速度以及加热温度。
本实用新型实施方式相对于现有技术而言,由于所述加热装置包括加热所述腔体的加热丝,以及与所述加热丝相连的控制器,所述控制器控制加热丝的加热速度以及加热温度,从而可以对收容于所述收容空间中的叠层进行快速热处理,快速热处理能够促使CdS层再结晶,增加薄膜致密性,减少漏电路径;同时钝化界面处缺陷,减小缺陷浓度,改善pn结品质,从而提高电池性能。
可选的,还包括:分别与所述腔体相连的第一气体气源和氧气气源,所述第一气体气源为惰性气体气源或氮气气源。在对薄膜太阳能电池进行快速热处理的过程中,通入氧气能够实现CdS表面的适度氧化,抑制CdS/光吸收层界面的过度互扩散,防止过多的杂质形成复合中心而影响载流子收集,通入第一气体作保护气,防止氧气浓度过高发生危险。
可选的,所述腔体上设置有与所述收容空间连通的进气口和出气口,所述进气口经由气路与所述第一气体气源和氧气气源连通,所述气路包括与所述氧气气源相连的第一气路、与所述第一气体气源相连的第二气路、将第一气路和第二气路连接至所述进气口的第三气路。
可选的,所述第一气路上设置有第一气阀,所述第二气路上设置有第二气阀。
可选的,所述第一气路上还设置有第一流量调节阀,所述第二气路上还设置有第二流量调节阀。如此设置,能够精确控制通入所述收容空间的第一气体与氧气的流量比,从而控制CdS表面的氧化程度。
可选的,第三气路上设置有第三流量调节阀。如此设置,能够精确控制通入所述收容空间的气体流量。
可选的,第三气路上设置有第三气阀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的