[实用新型]一种晶硅太阳能电池刻蚀水膜匀膜装置

说明书

本实用新型涉及一种晶硅太阳能电池刻蚀水膜匀膜装置，包括超声波雾化器，导流管道，分流管道，喷淋管道；导流管道与超声波雾化器的雾化气体出口连通，分流管道与导流管道连通，多个喷淋管道均与分流管道连通，每个喷淋管道的出口端均设有无驱动匀流扇，该无驱动匀流扇包括通过螺丝固定于喷淋管道的三叉支架和与三叉支架连接的轴承，轴承上还连接有多个曲条状匀流扇叶片，多个曲条状匀流扇叶片以轴承为中心均匀分布且可绕轴承旋转。本实用新型利用超声波雾化后的水分子在无驱动匀流扇的驱动下均匀覆盖到硅片表面，预先湿润硅片表面，在之后水膜喷淋时保证硅片表面均匀、完全被水膜覆盖，避免出现因水膜覆盖不均匀造成的返工和降级。

技术领域

本实用新型涉及晶硅太阳能硅片刻蚀工序水膜喷淋工位，具体是一种晶硅太阳能电池刻蚀水膜匀膜装置。

背景技术

在太阳能电池生产工序中，刻蚀水膜的主要作用是在硅片表面覆盖一层水膜，硅片经过刻蚀槽时避免刻蚀槽酸性气氛对硅片表面腐蚀。目前使用的水膜系统为：感应器检测到硅片时经过一定时间间隔，水膜喷淋装置对硅片表面喷淋一定量的水。此方法虽然能使硅片表面覆盖水膜层，但不能保证水膜覆盖的均匀性，尤其表面脏污的硅片，脏污部位表面亲水性较差，很难被水膜覆盖，进而造成返工，异常片流入后道工序，会引起更多的EL测试异常。

发明内容

本实用新型为了克服现有技术的缺陷，提出了一种晶硅太阳能电池刻蚀水膜匀膜装置，利用该装置可使刻蚀水膜工位的水膜均匀覆盖，同时有效解决了脏污片表面亲水性差的问题，避免出现因水膜覆盖不均匀造成的返工和降级。

本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种晶硅太阳能电池刻蚀水膜匀膜装置，包括超声波雾化器，导流管道，分流管道，喷淋管道；所述的导流管道与超声波雾化器的雾化气体出口连通，分流管道与导流管道连通，喷淋管道有多个，均与分流管道连通，每个喷淋管道的出口端均设置有无驱动匀流扇，该无驱动匀流扇包括三叉支架、轴承及多个曲条状匀流扇叶片，三叉支架的一端通过螺丝固定于喷淋管道的管壁，另一端与轴承连接，轴承上还连接有多个曲条状匀流扇叶片，多个曲条状匀流扇叶片以轴承为中心均匀分布且可绕轴承旋转；所述的多个曲条状匀流扇叶片是位于三叉支架的内侧，该三叉支架的内侧是指位于三叉支架靠近喷淋管道内部的一侧；

该匀膜装置设置于原刻蚀工序水膜喷淋工位的水膜喷淋装置之前，距离水膜喷淋装置10cm-15cm，且该匀膜装置位于硅片正上方，且喷淋管道的出口端距离硅片表面的垂直距离为20-40mm。

本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术方案进一步实现。

前述的一种晶硅太阳能电池刻蚀水膜匀膜装置，其中，所述喷淋管道有5个。

前述的一种晶硅太阳能电池刻蚀水膜匀膜装置，其中，所述的分流管道与导流管道垂直。

前述的一种晶硅太阳能电池刻蚀水膜匀膜装置，其中，所述的喷淋管道与分流管道垂直。

本实用新型利用超声波雾化后的水分子在无驱动匀流扇的驱动下均匀覆盖到硅片表面，预先湿润硅片表面，在之后水膜喷淋时保证硅片完全被水膜覆盖。可使刻蚀水膜工位的水膜快速且均匀的覆盖，避免了硅片边角因水膜覆盖不均匀造成的返工；同时又有效解决了脏污片表面亲水性差的问题，预先在硅片表面形成均匀密集的小分子水膜层，为水膜均匀覆盖打下基础，避免出现因水膜覆盖不均匀造成的返工，以及异常片流入后道工序引起的批量EL测试异常。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，详细说明如下。

附图说明

图1是本实用新型的立体图；

图2是本实用新型的仰视图；