[实用新型]一种低功耗高响应速度电路保护装置有效
| 申请号: | 201821384819.2 | 申请日: | 2018-08-27 | 
| 公开(公告)号: | CN208938909U | 公开(公告)日: | 2019-06-04 | 
| 发明(设计)人: | 石晓光;胡军;王伟;陈蓉蓉 | 申请(专利权)人: | 西安中熔电气股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01H85/04 | 分类号: | H01H85/04;H02H3/08 | 
| 代理公司: | 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司 32261 | 代理人: | 胡思棉 | 
| 地址: | 710077 陕西省西安市高新区锦业路69*** | 国省代码: | 陕西;61 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导电体 动作单元 动作元件 保护装置 绝缘壳体 速度电路 低功耗 高响应 主电路 并联 检测 抗过载能力 单元连接 两端电压 限流元件 触发 断开 分断 功耗 过载 空腔 温升 正对 串联 升高 贯穿 | ||
1.一种低功耗高响应速度电路保护装置,其包括绝缘壳体及贯穿所述绝缘壳体的导电体,其特征在于还包括检测单元和动作单元,所述检测单元连接在所述导电体上;所述动作单元包括串联的限流元件与动作元件;所述动作单元与检测单元并联;所述动作元件设置在正对所述导电体的空腔中;在被保护回路过载时,检测单元以及与之并联的动作单元两端电压迅速升高,触发所述动作元件动作切断所述导电体断开主电路。
2.根据权利要求1所述的低功耗高响应速度电路保护装置,其特征在于在所述动作元件一侧的导电体上设置有结构强度薄弱点,在所述导电体的结构强度薄弱点下方壳体上设置有容纳所述导电体断开掉落的空腔。
3.根据权利要求2所述的低功耗高响应速度电路保护装置,其特征在于所述空腔内设置有多片用于冷却、隔断电弧的栅状结构。
4.根据权利要求2所述的低功耗高响应速度电路保护装置,其特征在于在容纳所述导电体掉落的空腔一侧的壳体上开设有限压过滤装置。
5.根据权利要求4所述的低功耗高响应速度电路保护装置,其特征在于所述限压过滤装置包括设置在壳体侧壁上的排气孔,在所述排气孔中设置有保压隔膜及过滤网。
6.根据权利要求1所述的低功耗高响应速度电路保护装置,其特征在于在所述动作元件一侧的所述导电体的结构强度薄弱点两端并联有至少一个灭弧熔断器。
7.根据权利要求1所述的低功耗高响应速度电路保护装置,其特征在于在检测单元没有保护壳体和灭弧介质时,所述检测单元两端需并联至少一个灭弧熔断器。
8.根据权利要求1所述的低功耗高响应速度电路保护装置,其特征在于在所述限流元件为熔断器、细导线或低熔点金属导线中的一种或几种。
9.根据权利要求1所述的低功耗高响应速度电路保护装置,其特征在于所述检测单元为在被保护回路过载下可断开或电阻变大的检测导电结构。
10.根据权利要求9所述的低功耗高响应速度电路保护装置,其特征在于所述检测单元包括两导电的连接排,两所述连接排的连接端通过变截面导电体、低熔点金属、正温度系数材料或导电记忆金属连接。
11.根据权利要求10所述的低功耗高响应速度电路保护装置,其特征在于在所述变截面导电体连接处的最窄处间隔开设有透孔。
12.根据权利要求10所述的低功耗高响应速度电路保护装置,其特征在于在所述变截面导电体的表面设置有低熔点金属组成的冶金效应点。
13.根据权利要求9所述的低功耗高响应速度电路保护装置,其特征在于所述检测单元包括两导电的连接排,两所述连接排的连接面上分别设置有绝缘凸点,在所述绝缘凸点外周包覆低熔点导电金属,两所述连接排的连接面叠加对接,通过其上的所述绝缘凸点处低熔点导电金属连接。
14.根据权利要求9所述的低功耗高响应速度电路保护装置,其特征在于所述检测单元包括两导电的连接排,两所述连接排的连接面叠加,并通过低熔点导电金属连接,在叠加对接的其中一连接排的连接面上设置有绝缘限位装置。
15.根据权利要求9至14任一所述的低功耗高响应速度电路保护装置,其特征在于在所述检测单元设置有保护壳体。
16.根据权利要求15所述的低功耗高响应速度电路保护装置,其特征在于在所述保护壳体中填充有灭弧介质。
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