[实用新型]一种准单晶铸锭炉下炉体溢流报警系统

说明书

本实用新型属于单晶炉技术领域，具体涉及一种准单晶铸锭炉下炉体溢流报警系统。该准单晶铸锭炉下炉体溢流报警系统，包括下炉底外壳、装配座和溢流槽，所述下炉底外壳内设有装配座，所述装配座四周分别设有溢流槽，溢流槽内设有多个引流孔，溢流槽底部对应引流孔设有引流管，下炉底外壳底部铺设有溢流棉，所述下炉底外壳侧壁上对应引流管设有防护板，防护板上对应引流管设有溢流丝固定孔。其有益效果是：结构简单，使用方便，便于检测溢流情况，预警事故发生，并防止溢流液对炉体底部造成污染。

技术领域

本实用新型属于单晶炉技术领域，具体涉及一种准单晶铸锭炉下炉体溢流报警系统。

背景技术

准单晶铸锭炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,是基于准单晶铸锭炉的工艺生长无错位单晶的设备，准单晶（MonoLike）是基于多晶铸锭的工艺，在长晶时通过部分使用单晶籽晶，获得外观和电性能均类似单晶的多晶硅片，这种通过铸锭的方式形成单晶硅的技术，其功耗只比普通多晶硅多，所生产的单晶硅的质量接近直拉单晶硅，简单地说，这种技术就是用多晶硅的成本，生产单晶硅的技术，当下量产的准单晶技术大部分为有籽晶铸锭，这种技术先把籽晶、硅料掺杂元素放置在坩埚中，籽晶一般位于坩埚底部，再加热融化硅料，并保持籽晶不被完全融掉，最后控制降温，调节固液相的温度梯度，确保单晶从籽晶位置开始生长，这种技术的难点在于确保在熔化硅料阶段，籽晶不被完全融化，还有控制好温度梯度的分布，这个是提高晶体生长速度和晶体质量的关键，为了满足准单晶对于温度梯度的工艺要求，需要在炉内达到1450摄氏度的情况下打开风门，来进行逐渐降温的过程，而准单晶铸锭炉在运行时，石墨坩埚可能会出现意外破裂，发生硅液溢流事故，硅液溢流会对准单晶铸锭炉内部结构造成腐蚀污染，严重时溢流液会通过打开的风门流入水冷系统内，导致炉体爆炸，且无法监测硅液溢流事故的发生，安全性较低。

实用新型内容

本实用新型为了弥补现有技术的缺陷，提供了一种准单晶铸锭炉下炉体溢流报警系统。

本实用新型是通过如下技术方案实现的：

一种准单晶铸锭炉下炉体溢流报警系统，包括下炉底外壳、装配座和溢流槽，所述下炉底外壳内设有装配座，所述装配座四周分别设有溢流槽，溢流槽内设有多个引流孔，溢流槽底部对应引流孔设有引流管，下炉底外壳底部铺设有溢流棉，所述下炉底外壳侧壁上对应引流管设有防护板，防护板上对应引流管设有溢流丝固定孔，溢流丝固定孔内设有溢流丝，溢流丝与下炉底外壳上的热电偶连接，所述溢流棉内布设有底部溢流丝，底部溢流丝与下炉底外壳底部的溢流丝接口连接。

进一步，所述装配座四周设有装配连接翼，装配连接翼通过装配座支撑管与下炉底外壳侧壁上的支撑座连接。

进一步，所述溢流槽外侧设有第一防护碳毡，第一防护碳毡外侧设有多层第二防护碳毡，第一防护碳毡的高度高于第二防护碳毡，溢流槽与第一防护碳毡顶面位于同一水平面。

进一步，所述溢流槽内底部由中间向两端分别成斜坡状，引流孔位于溢流槽斜坡低端。

本实用新型的有益效果是：结构简单，使用方便，对溢流的硅液起到导向的作用，防止硅液溢流随意外漏，且可通过溢流丝固定孔内溢流丝连接的热电偶进行检测，便于检测溢流情况，预警事故发生，并防止溢流液对炉体底部造成污染。

附图说明

下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。

附图1为本实用新型的结构示意图；

附图2为本实用新型的剖视图。

图中，1下炉底外壳，2装配座，3溢流槽，4第一防护碳毡，5第二防护碳毡，6引流孔，7引流管，8防护板，9溢流丝固定孔，10装配连接翼，11装配座支撑管，12支撑座，13溢流棉，14底部溢流丝，15溢流丝接口，16热电偶，17溢流丝。

具体实施方式