[实用新型]集成电路布图结构

说明书

本实用新型公开了一种集成电路布图结构，包括传导半导体器件和被传导半导体器件，传导半导体器件的至少一层金属层向被传导半导体器件延伸插入或覆盖被传导半导体器件的至少一层金属层，传导半导体器件延伸金属层是传导金属层，被传导半导体器件被插入金属层或被覆盖金属层是被传导金属层，该传导金属层与传导半导体器件其他金属层通过接触孔连接，该传导金属层与被传导半导体器件无接触。本实用新型的布图结构能在满足集成电路布图最小物理规则前提下，使相邻半导体器件满足温度耦合或感应要求。

技术领域

本实用新型涉及集成电路领域，特别是涉及一种集成电路布图结构。

背景技术

在集成电路领域制造集成电路布图结构时，由于某些功能要求需要使两个半导体器件的工作环境(尤其是温度)尽量保持一致或尽量接近，以便补充工作环境差异对器件性能所产生的影响。通常在设计布图结构时，使对工作环境要求相同的两个半导体器件的物理位置尽量接近。但由于集成电路布图需要遵循一定的物理规则，任何器件之间均有最小物理距离限制，半导体器件之间的距离必须满足所允许的最小物理距离，半导体器件不能无限制的靠近。因此，存在对工作环境要求相同的半导体器件因最小物理距离限制导致工作环境(温度耦合或感应)无法得到满足，造成半导体器件性能得不到保证的情况。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种在满足集成电路布图最小物理规则前提下，使相邻半导体器件能满足工作环境(温度耦合或感应)要求的集成电路布图结构。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的集成电路布图结构，包括传导半导体器件的至少一层金属层向被传导半导体器件延伸插入或覆盖被传导半导体器件的至少一层金属层，传导半导体器件延伸金属层是传导金属层，被传导半导体器件被插入金属层或被覆盖金属层是被传导金属层，该传导金属层与传导半导体器件其他金属层通过接触孔连接，该传导金属层与被传导半导体器件无接触。

进一步改进所述的集成电路布图结构，传导金属层设置在传导半导体器件第m金属层，被传导金属层设置在被传导半导体的第n层金属层，m≥1，n≥1。

进一步改进所述的集成电路布图结构，当被传导金属层是被传导器件的顶层金属层时，传导金属层延伸覆盖被传导金属层；

当被传导金属层不是被传导器件的顶层金属层时，传导金属层延伸插入被传导金属层。

进一步改进所述的集成电路布图结构，当被传导金属层不是被传导器件的顶层金属层时，传导金属层延伸形成插指状结构插入被传导金属层中，传导金属层的插指状结构与其插入被传导金属层之间距离为现有工艺所能实现的最小物理距离。

进一步改进所述的集成电路布图结构，当被传导金属层是被传导器件的顶层金属层时，传导金属层是传导器件的顶层金属层。

进一步改进所述的集成电路布图结构，传导金属层和被传导金属层一一对应设置，传导金属层插入距离最近的被传导金属层。

进一步改进所述的集成电路布图结构，传导金属层和被传导金属层数量不同时，传导金属层插入距离最近的被传导金属层。

进一步改进所述的集成电路布图结构，传导金属层覆盖被传导金属层时，传导金属层与被传导金属层时之间距离d1为0.1微米-2.0微米；

传导金属层插入被传导金属层时，传导金属层与被传导金属层相邻金属层之间距离d2为0.1微米-2.0微米。

半导体器件具有相连的金属层通常至少有2-4层，甚至更多的金属层。每层金属层的厚度通常为0.5微米-4微米。这些金属层具有良好的热传导性，非常适合进行热传导。本实用新型利用金属层的热传导性在满足集成电路布图最小物理规则前提下，将两个(甚至多个)相邻的半导体器件通过传导金属层覆盖，使各半导体器件满足设计的温度耦合或感应要求。

附图说明