[实用新型]双向MOSFET开关

权利要求书

1.一种双向MOSFET开关，具有减少的体电流，所述开关的特征在于包括：

第一类型的半导体的体区，所述体区将第二类型的半导体的漏极区和源极区分开，所述体区连接到体端子，所述源极区连接到源极端子，并且所述漏极区连接到漏极端子；

所述第二类型的半导体的隐埋层，所述隐埋层将所述体区与所述第一类型的半导体的衬底分开，所述隐埋层耦接到隐埋层端子；

栅极端子，所述栅极端子可驱动以在所述体区中形成沟道，从而使得所述源极端子与所述漏极端子之间能够导通；

第一配置开关，所述第一配置开关在所述源极端子电压超过所述漏极端子电压时将所述体端子从所述源极端子断开连接；和

第二配置开关，所述第二配置开关在所述源极端子电压超过所述漏极端子电压时将所述体端子连接到所述隐埋层端子。

2.根据权利要求1所述的双向MOSFET开关，其特征在于还包括耦接在所述源极端子与漏极电流感测端子之间的第一感测晶体管以及耦接在所述漏极端子与源极电流感测端子之间的第二感测晶体管，其中所述MOSFET开关使用至少所述漏极电流感测端子来监测正向电流并且使用至少所述源极电流感测端子来监测反向电流。

3.根据权利要求1所述的双向MOSFET开关，其特征在于还包括开关控制器，所述开关控制器至少部分地基于所述漏极端子电压和所述源极端子电压来驱动所述第一配置开关和所述第二配置开关。

4.根据权利要求3所述的双向MOSFET开关，其特征在于所述开关控制器的对所述第一配置开关和所述第二配置开关的驱动还基于所述栅极端子是否被断言。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的双向MOSFET开关，其特征在于半导体的所述第一类型是N型，并且半导体的所述第二类型是P型。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的双向MOSFET开关，其特征在于半导体的所述第一类型是P型，并且半导体的所述第二类型是N型。

7.根据权利要求6所述的双向MOSFET开关，其特征在于所述第一配置开关在所述源极端子电压超过所述漏极端子电压时将所述体端子从所述源极端子断开连接，除非所述栅极端子被解除断言，并且所述第二配置开关在所述源极端子电压超过所述漏极端子电压时将所述体端子连接到所述隐埋层端子，除非所述栅极端子被解除断言。

8.根据权利要求7所述的双向MOSFET开关，其特征在于所述第一配置开关在所述漏极端子电压超过所述源极端子电压或所述栅极端子被解除断言时将所述体端子连接到所述源极端子，并且所述第二配置开关在所述漏极端子电压超过所述源极端子电压或所述栅极端子被解除断言时将所述体端子从所述隐埋层端子断开连接。

9.根据权利要求6所述的双向MOSFET开关，其特征在于所述第一配置开关在所述漏极端子电压超过所述源极端子电压时将所述体端子连接到所述源极端子，并且所述第二配置开关在所述漏极端子电压超过所述源极端子电压时将所述体端子从所述隐埋层端子断开连接。

10.根据权利要求9所述的双向MOSFET开关，其特征在于所述隐埋层在由所述第二配置开关断开连接时浮动。

11.根据权利要求6所述的双向MOSFET开关，其特征在于所述第一配置开关和所述第二配置开关各自包括NMOS晶体管。

12.根据权利要求11所述的双向MOSFET开关，其特征在于所述第一配置开关和所述第二配置开关各自具有不论所述源极端子电压是否超过所述漏极端子电压都耦接到所述MOSFET开关的源极端子的体端子。

13.根据权利要求6所述的双向MOSFET开关，其特征在于所述第一配置开关和所述第二配置开关各自包括NMOS晶体管的反向串联对。