[实用新型]一种氮化镓基发光二极管外延结构有效
| 申请号： | 201821331074.3 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN209133526U | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 刘建明;朱学亮;陈秉扬;刘信佑;赖昭序;张中英 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 氮化镓基发光二极管 电子阻挡层 电性连接 外延结构 发光层 空穴 孔洞 本实用新型 发光二极管 发光外延层 第二电极 第一电极 复合发光 孔洞结构 复数 辐射 | ||
1.一种氮化镓基发光二极管外延结构，外延结构自下而上依次包括第一半导体层、具有V型缺陷的发光层和第二半导体层；在发光层与第二半导体层之间设置电子阻挡层；
其特征在于，电子阻挡层具有水平部分以及与V型缺陷对应的V型部分，水平部分和V型部分表面具有复数个孔洞结构。
2.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于，孔洞结构内填充了禁带度宽度比电子阻挡层材料低的氮化镓基半导体材料。
3.根据权利要求2所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于，孔洞结构内填充了UGaN、P型GaN或者Al组份低于电子阻挡层的AlGaN。
4.根据权利要求2所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于，孔洞结构内填充了AlxGayIn1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，x+y≤1）。
5.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于，孔洞尺寸为大于等于0.1h至小于等于0.25h 。
6.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于，电子阻挡层的厚度为大于等于30nm至小于等于50nm，或者大于50nm至小于等于200nm。
7.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于，电子阻挡层的材料为AlaGabIn1-a-bN（0≤a≤1，0≤b≤1，a+b≤1）。
8.一种氮化镓基发光二极管，包括权利要求1至权利要求7中任意一项所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构。
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