[实用新型]过温保护电路

说明书

一种过温保护电路，其特征在于，包括：内部电源产生单元，用于作为电压源提供第一电压；内部电流产生单元，用于作为额定电流源提供额定电流；比较判断单元，所述比较判断单元的电压输入端连接所述内部电源产生单元的输出端，所述比较判断单元的电流输入端连接所述内部电流产生单元的输出端；所述比较判断单元用于根据温度大小，产生对应输出信号，实现使能数字信号输出。所述过温保护电路结构简单，在用于过温保护的同时，能够节省功耗。

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种过温保护电路。

背景技术

随着半导体工艺以及微电子技术的快速发展，过温保护技术已广泛应用于消费电子、通信设备、工业应用和航空航天等各个领域。为了便于电子系统对芯片进行过温保护，芯片内部通常设置温度监控，用于控制芯片的过温关断，因此芯片内部通常需要设计过温保护电路。

通常应用中，芯片内建电路会将温度信息转化成相关电压或电流信息，让过温保护电路得知温度高低，并在到达临界温度时，产生关断信号，来保护相应组件避免毁损。

然而，现有过温保护电路通常带来功耗上的损失，或者影响芯片中带隙电压的稳定。

例如，在图1所示的过温保护电路中，包括了一个NPN管11和一个缓冲器13，NPN管11的集电极连接电流源12，同时NPN管11的集电极作为过温保护电路的信号输出端。图1所示的过温保护电路中，也可以不使用缓冲器13，但是，不使用缓冲器13时，在进入过温保护状态下，NPN管11 会把连接在基极的基准电压拉下来(即产生对基准电压的扰动影响)，而基准电压被拉下来，容易造成对其它元件供电的影响，而如果加上目前的缓冲器 13，则缓冲器13本身需要消耗一定的电流，带来功率的损失。

再如图2所示的过温保护电路，它是在图1电路的基础上继续改进，同样具有NPN管11及连接在NPN管11集电极这一端的电流源12。但是，图 2不需要采用缓冲器，而是外加一个分压电路和反馈电路，分压电路包括串联的电阻14和电阻15，电阻14另一端连接电流源17，电阻15另一端接地，而NPN管11的基极连接在电阻14和电流源17之间，同时，电路中还具有 MOS管16，MOS管16的漏极接在电阻14和电阻15中间，源极接在电阻15和地之间(亦即接地)，MOS管16的栅极则连接至过温保护电路的信号输出端，亦即连接至电流源12与NPN管11的集电极之间。图2这种结构中，在任意时刻(即无论是否进入保护状态)，都需要额外的消耗电流(此电流由电流源17提供)，造成功耗的损失。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是提供一种过温保护电路，在实现良好过温保护作用的同时，节省功耗。

为解决上述问题，本实用新型提供了一种过温保护电路，包括：内部电源产生单元，用于作为电压源提供第一电压；内部电流产生单元，用于作为额定电流源提供额定电流；比较判断单元，所述比较判断单元的电压输入端连接所述内部电源产生单元的输出端，所述比较判断单元的电流输入端连接所述内部电流产生单元的输出端；所述比较判断单元用于根据温度大小，产生对应输出信号，实现使能数字信号输出。

可选的，所述过温保护电路还包括迟滞转换单元，所述迟滞转换单元位于所述比较判断单元与电路的数字信号输出端之间。

可选的，所述内部电源产生单元的电源输入端连接高压电源，并用于将所述高压电源转换成低压电源，用于给所述比较判断单元提供所述第一电压，所述内部电源产生单元的电源输出端作为所述比较判断单元的比较电压点；所述内部电流产生单元的电源输入端连接输入所述高压电源，并用于将所述高压电源转换成额定电流电源，用于给所述比较判断单元提供所述额定电流。