[实用新型]一种晶圆烘烤装置有效
| 申请号: | 201821309428.4 | 申请日: | 2018-08-14 |
| 公开(公告)号: | CN208444816U | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 肖冰滨;刘兵 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 加热腔室 晶圆 烘烤装置 封盖 超声波发生器 超声波振荡器 产生振荡 换能器 排气管 种晶 蚀刻 本实用新型 加热盘 附着 加热 半导体 连通 容纳 图案 驱动 封闭 | ||
本实用新型涉及半导体生产领域,公开了一种晶圆烘烤装置,包括:加热腔室,用于容纳晶圆;加热盘,设置于所述加热腔室的底部,用于加热所述晶圆;封盖,设置于所述加热腔室的顶部,用于封闭所述加热腔室;排气管,连接于所述封盖并与所述加热腔室连通;超声波振荡器,包括设置于所述封盖内侧的多个超声波发生器和多个换能器,所述超声波发生器驱动所述换能器而产生振荡气体。该晶圆烘烤装置通过设置超声波振荡器以产生振荡气体,使得附着在加热腔室上的所有粉末被完全地振落,然后通过排气管将振落的粉末从加热腔室中排出,从而避免了粉末造成晶圆蚀刻的图案异常的问题。
技术领域
本实用新型涉及半导体器件生产领域,具体地涉及晶圆烘烤装置。
背景技术
晶圆在烘烤的过程中会产生大量的粉末,这些粉末经常会粘附在加热腔室的内部。当晶圆完成烘烤后,这些粉末很容易在加热腔室打开以及晶圆被移出加热腔室的过程中落在晶圆上。表面有粉末的晶圆在经过蚀刻后会出现图案异常的问题,造成晶圆质量出现缺陷。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服现有技术存在的晶圆烘烤过程中表面容易沾染粉末的问题,提供一种晶圆烘烤装置,该晶圆烘烤装置通过设置超声波振荡器以产生振荡气体,使得附着在加热腔室上的所有粉末被完全地振落,然后通过排气管将振落的粉末从加热腔室中排出,从而避免了粉末造成晶圆蚀刻的图案异常的问题。
为了实现上述目的,本实用新型的实施方式提供了一种晶圆烘烤装置,其特征在于,包括:
加热腔室,用于容纳晶圆;
加热盘,设置于所述加热腔室的底部,用于加热所述晶圆;
封盖,设置于所述加热腔室的顶部,用于封闭所述加热腔室;
排气管,连接于所述封盖并与所述加热腔室连通;
超声波振荡器,包括设置于所述封盖内侧的多个超声波发生器和多个换能器,所述超声波发生器驱动所述换能器而产生振荡气体。
优选地,所述超声波发生器和所述换能器均为环绕设置,两者的中心与所述封盖的中心重合。
优选地,所述换能器的振荡频率范围介于25KHz至5MHz。
优选地,每个所述换能器的直径范围介于5至30mm,长度范围介于5至45mm。
优选地,所述封盖的内侧的边缘设置有多个吹气口,用于对所述加热腔室通入吹扫气体;所述排气管的吸气口位于所述封盖的内侧中心。
优选地,由所述吹气口的吹扫气体的气体流量范围介于20至50L/min,吹扫频率范围介于5至30秒/次。
优选地,每个所述吹气口的直径范围介于1至5mm。
优选地,所述加热腔室的底部设置有减振器。
优选地,所述加热腔室的底部设置有多个顶升柱,用于引导所述晶圆下降及顶升所述晶圆。
优选地,所述排气管的一端设置有吸气泵,所述吸气泵的吸气流量范围介于30至120L/min。
优选地,所述加热腔室设置于一载台的一侧上,所述载台的另一侧上设置有冷却盘。
通过上述技术方案,本实用新型的实施方式提供的晶圆烘烤装置通过设置超声波振荡器以产生振荡气体,使得附着在加热腔室上的所有粉末被完全地振落,然后通过排气管将振落的粉末从加热腔室中排出,从而避免了粉末造成晶圆蚀刻的图案异常的问题。
附图说明
图1是根据本实用新型的实施方式提供的晶圆烘烤装置的结构示意图之一(封盖闭合);
图2是根据本实用新型的实施方式提供的晶圆烘烤装置的封盖的结构示意图之二(封盖打开);
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





