[实用新型]半导体处理设备有效
申请号: | 201821294515.7 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN208444815U | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 李国强;林宗贤;吴孝哲 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 杨楷;毛立群 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体处理设备 自平衡装置 调整基座 旋转电机 工艺腔 旋转轴 支架 体内 本实用新型 承托支架 工艺腔体 旋转异常 主轴传动 水平度 同心度 自平衡 承托 平衡 伸入 检测 保证 | ||
本实用新型涉及半导体处理设备,公开了一种可以自动调整基座以保持基座自平衡的半导体处理设备,包括工艺腔体、旋转轴以及旋转电机,工艺腔体内设置有基座以及支架,支架承托基座,旋转轴的一端伸入工艺腔体内并承托支架、另一端与旋转电机的主轴传动连接,半导体处理设备还包括用于调整基座以保持平衡的自平衡装置。通过设置自平衡装置,能够及时准确地检测到基座的旋转异常,从而能够及时调整基座的平衡、保持基座的旋转同心度和水平度,保证工艺正常,提高工艺质量。
技术领域
本实用新型涉及半导体处理设备,特别涉及一种可以自动调整基座以保持基座自平衡的半导体处理设备。
背景技术
在现有的半导体处理设备中,如图1所示,承接晶圆的基座会在工艺过程中旋转,使得基座的各个区域受热均匀,提高工艺质量。具体结构为,基座位于工艺腔体内,支架承托基座,旋转轴支撑支架,旋转轴的一端伸出工艺腔体并与电机连接。电机工作,驱动旋转轴转动,进而驱动支架转动、基座转动,基座的各个区域受热均匀,位于基座上的晶圆也受热均匀。
但是,支架在不断的转动过程中会发生不断的磨损,支架磨损会导致基座旋转不平衡,使得基座出现不同心现象和上下摆动现象,最终造成工艺异常。而在目前的半导体处理设备上,并无检测和调整基座的旋转状态的功能。
实用新型内容
本实用新型为了解决上述技术问题而提出,目的在于提供一种半导体处理设备。本实用新型的半导体处理设备通过设置自平衡装置,能够及时准确地检测到基座的旋转异常,从而能够及时调整基座的平衡、保持基座的旋转同心度和水平度,保证工艺正常,提高工艺质量。
具体来说,本实用新型提供了一种半导体处理设备,包括工艺腔体、旋转轴以及旋转电机,所述工艺腔体内设置有基座以及支架,所述支架承托所述基座,所述旋转轴的一端伸入所述工艺腔体内并承托所述支架、另一端与所述旋转电机的主轴传动连接,所述半导体处理设备还包括用于调整所述基座以保持所述基座转动平衡的自平衡装置。
相较于现有技术而言,本实用新型提供的半导体处理设备,通过设置自平衡装置,自平衡装置可以及时准确地检测到基座的旋转异常、并及时调整基座的位置,保持基座的转动平衡,从而可以保证基座的旋转同心度和水平度,使得半导体处理设备的工艺正常,提高工艺质量。
另外,作为优选,所述自平衡装置包括控制器以及与所述控制器通信连接的检测机构、平衡机构,其中,所述检测机构用于检测所述基座的旋转状态,并将所述基座的旋转状态信号发送给所述控制器;所述控制器用于接收所述旋转状态信号,并向所述平衡机构发送调节状态指令;所述平衡机构与所述支架传动连接,所述平衡机构接收所述调节状态指令并调节所述基座的旋转状态。
检测机构可以及时检测基座的旋转状态并将基座的旋转状态信号反馈给控制器,控制器根据接收到的旋转状态信号控制平衡机构的调节工作。当基座的旋转发生异常时,检测机构将基座的异常的旋转状态信号发送给控制器,控制器根据异常的旋转状态信号向平衡机构发出相应的调节状态指令,平衡机构根据接收到的调节状态指令调节基座的旋转状态,使得基座保持转动平衡,半导体处理设备的工艺正常,提高工艺质量。
进一步地,作为优选,所述平衡机构为三轴自平衡陀螺仪,设置在所述旋转电机的下方并承载所述旋转电机。
检测机构检测出旋转轴的三维空间变化,并将该变化信息发送给控制器,控制器根据该变化信息向三轴自平衡陀螺仪发出调节状态指令。三轴自平衡陀螺仪通过XYZ轴的旋转速度变化,来调节左右位移和上下的摇摆,从而调整基座的旋转状态。
另外,作为优选,所述检测机构包括水平传感器以及高度传感器,所述水平传感器、高度传感器均靠近所述旋转轴设置并分别检测所述基座在水平方向、垂直方向上的偏移状态。
当基座的旋转发生偏移时,水平传感器、高度传感器可以及时检测出基座在水平方向、垂直方向上的偏移状态,并及时将偏移信息发送给控制器,检测机构的控制精准,控制精度优异。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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