[实用新型]场效应器件、反熔丝、随机数生成装置

权利要求书

1.一种场效应器件，其特征在于，包括介质层、源端掺杂区、漏端掺杂区、栅端掺杂区以及衬底，其中，所述介质层设置在所述衬底与所述栅端掺杂区之间；所述源端掺杂区及所述漏端掺杂区设置在所述衬底上，且所述栅端掺杂区与所述源端掺杂区形成第一交叠区，所述栅端掺杂区和所述漏端掺杂区形成第二交叠区，所述第一交叠区和第二交叠区分别等效形成一反熔丝电容。

2.根据权利要求1所述的场效应器件，其特征在于，所述第一交叠区在其对应的所述介质层被击穿后呈现低阻态，所述第二交叠区在其对应的所述介质层未被击穿；或者，所述第二交叠区在其对应的所述介质层被击穿后呈现低阻态，所述第一交叠区在其对应的所述介质层未被击穿。

3.根据权利要求2所述的场效应器件，其特征在于，所述第一交叠区在其对应的所述介质层被击穿后，降低所述第二交叠区的电场强度使其对应的所述介质层未被击穿；或者，所述第二交叠区在其对应的所述介质层被击穿后，降低所述第一交叠区的电场强度使其对应的所述介质层未被击穿。

4.根据权利要求2所述的场效应器件，其特征在于，所述栅端掺杂区电连接第一电压，所述源端掺杂区电连接第二电压，所述漏端掺杂区电连接第三电压，所述衬底电连接第四电压，以控制所述第一交叠区或者第二交叠区对应的所述介质层被击穿。

5.根据权利要求4所述的场效应器件，其特征在于，所述源端掺杂区通过第一开关单元电连接所述第二电压，所述漏端掺杂区通过第二开关单元电连接所述第三电压，所述栅端掺杂区通过第三开关单元电连接所述第一电压，以在控制所述第一交叠区或者第二交叠区对应的所述介质层被击穿时，使得所述第一开关单元以及第二开关单元呈现高阻态，并对应地使得所述第三开关单元呈现低阻态。

6.根据权利要求5所述的场效应器件，其特征在于，所述第一开关单元为第一三极管，所述第二开关单元为第二三极管，所述第一三极管与所述第二三极管的栅端互连并第一三极管的源端和第二三极管的源端分别连接所述第二电压和第三电压，所述第一三极管和第二三极管的漏端分别连接到所述场效应器件的源端和漏端掺杂区，所述第一三极管和第二三极管的源端分别连接到地或设定的电位。

7.根据权利要求6所述的场效应器件，其特征在于，所述第一三极管的漏端还连接有第一输出单元，所述第一输出单元用于输出所述第一三极管的漏端的电压，所述第二三极管的漏端还连接有第二输出单元，所述第二输出单元用于输出所述第二三极管的漏端的电压。

8.根据权利要求7所述的场效应器件，其特征在于，所述第一输出单元为第一反相器，所述第二输出单元为第二反相器。

9.根据权利要求5所述的场效应器件，其特征在于，所述第三开关单元为第三三极管，所述第三三极管与所述场效应器件的栅端连接。

10.根据权利要求9所述的场效应器件，其特征在于，所述第三三极管的漏端与所述场效应器件的栅端连接，所述第三三极管的源端连接所述第一电压。

11.根据权利要求1所述的场效应器件，其特征在于，所述源端掺杂区与所述漏端掺杂区以所述衬底在竖直方向上的中心线为参考呈对称关系。

12.根据权利要求11所述的场效应器件，其特征在于，所述对称关系包括下述中的至少一种：尺寸对称、掺杂浓度、与外部电路形成连接关系的对称。

13.根据权利要求1所述的场效应器件，其特征在于，所述源端掺杂区与所述漏端掺杂区之间形成沟道，所述第一交叠区和第二交叠区的电场强度大于所述沟道处的电场强度。

14.根据权利要求1所述的场效应器件，其特征在于，所述第一交叠区和所述第二交叠区对应的所述介质层具有关联于形成工艺随机性的特征参数。