[实用新型]P型晶体硅PERC电池有效
申请号: | 201821293486.2 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN208797019U | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 李宏伟;何胜;单伟;周盛永 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/056;H01L31/0216;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人: | 李非非;杨兴宇 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 减反射层 背面 硅片背面 硅片正面 钝化层 硅片 外设 背面金属电极 正面金属电极 本实用新型 电池效率 钝化结构 多晶硅层 光滑平整 正面复合 反射率 隧穿层 织构化 外部 光滑 减小 探出 穿透 复合 | ||
本实用新型提供了一种P型晶体硅PERC电池,该电池包括:P型晶体硅片,该P型晶体硅片具有织构化的正面和光滑的背面;设置于P型晶体硅片正面内部的PN结结构层;由内至外设置于P型晶体硅片正面外部的隧穿层、多晶硅层和正面减反射层,以及与P型晶体硅片正面接触并探出正面减反射层的正面金属电极;由内至外设置于P型晶体硅片背面外部的钝化层和背面减反射层,以及与P型晶体硅片背面接触并穿透钝化层和背面减反射层的背面金属电极。该电池的正面钝化结构可以有效减小正面复合,提升电池效率。P型晶体硅片背面光滑平整,可以有效提升电池的背面反射率,进一步降低电池的背面复合。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片生产制造领域,特别是涉及一种P型晶体硅PERC电池。
背景技术
PERC(Passivated emitter and rear contact)电池最早起源于上世纪八十年代,1989年由澳洲新南威尔士大学的MartinGreen研究组在AppliedPhysicsLetter首次正式报道了PERC电池结构,当时达到22.8%的实验室电池效率。到了1999年其实验室研究的PERL电池创造了转换效率25%的世界纪录。
目前,量产的PERC电池一般是在背表面利设置钝化结构,通过开孔或开槽形成局部金属接触,这大大降低被表面复合速度,同时提升背表面的光反射,进而增大了开路电压,使得量产电池的转换效率突破21%,成为光伏市场主流产品。
虽然PERC电池的背钝化技术已相对比较完善,但是目前的PERC电池并未在正面设置钝化接触结构,其正面复合仍然存在,使得电池的输出电压不高,从而影响了PERC电池效率的进一步提升。
实用新型内容
本实用新型提供了一种P型晶体硅PERC电池,用以减小电池正面、背面复合,提升电池效率,该电池包括:
P型晶体硅片,该P型晶体硅片具有织构化的正面和光滑的背面;
设置于P型晶体硅片正面内部的PN结结构层;由内至外设置于P型晶体硅片正面外部的隧穿层、多晶硅层和正面减反射层,以及与P型晶体硅片正面接触并探出正面减反射层的正面金属电极;
由内至外设置于P型晶体硅片背面外部的钝化层和背面减反射层,以及与P型晶体硅片背面接触并穿透钝化层和背面减反射层的背面金属电极。
具体实施中,所述织构化的正面为金字塔绒面或倒金字塔绒面。
具体实施中,所述PN结结构层的方阻为60Ω/□-150Ω/□。
具体实施中,所述隧穿层为二氧化硅隧穿层。
具体实施中,所述隧穿层的厚度为0.5nm-2nm,所述多晶硅层的厚度为5nm-25nm。
具体实施中,所述正面减反射层和背面减反射层为氮化硅层。
具体实施中,所述正面减反射层的厚度为60nm-90nm,所述背面减反射层的厚度为100nm-150nm。
具体实施中,所述正面减反射层的折射率为2.0-2.3。
具体实施中,所述正面金属电极为银电极。
具体实施中,所述钝化层为氧化铝钝化层,所述氧化铝钝化层的厚度为4nm-15nm。
具体实施中,所述背面金属电极为铝电极,所述铝电极的宽度为20um-100um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的